3月22日，半導(dǎo)體行業(yè)傳來一則振奮人心的消息。日月光半導(dǎo)體公司日前宣布了其VIPack先進(jìn)封裝平臺的最新突破——微間距芯?；ミB技術(shù)。這一技術(shù)的推出，不僅標(biāo)志著半導(dǎo)體封裝技術(shù)的又一次飛躍，更預(yù)示著AI應(yīng)用將迎來更為廣闊的芯片整合前景。
微間距芯?；ミB技術(shù)的核心在于其能夠在微凸塊上實現(xiàn)新型金屬疊層，從而實現(xiàn)了芯片與晶圓間互聯(lián)間距的大幅縮減。具體來說，該技術(shù)成功將這一間距縮小至20μm，即2x10-5米，相較于以往的技術(shù)方案，這一數(shù)值幾乎減半。如此微小的間距不僅提高了芯片之間的連接效率，也極大地擴展了硅-硅互連的能力，為半導(dǎo)體行業(yè)的其他開發(fā)過程提供了強有力的支持。
日月光半導(dǎo)體公司此次的技術(shù)突破，正是為了滿足AI應(yīng)用對于多樣化Chiplet整合的日益增長需求。隨著AI技術(shù)的飛速發(fā)展，對于小芯片、芯粒等微型元件的整合要求也越來越高。而日月光微間距互連技術(shù)的出現(xiàn)，正好解決了這一難題。它不僅能夠?qū)崿F(xiàn)更為緊密的芯片間連接，還能夠在新一代的垂直整合與2D并排解決方案中展現(xiàn)出其獨特的創(chuàng)造力和微縮能力。
值得一提的是，隨著Chiplet設(shè)計方法的不斷進(jìn)化，半導(dǎo)體互連帶寬也在飛速增加。這意味著，以前難以想象的IP區(qū)塊分拆現(xiàn)在已經(jīng)成為可能。而日月光微間距互連技術(shù)，正是這一進(jìn)化過程中的重要推動力量。它不僅能夠?qū)崿F(xiàn)3D整合，還能夠提供更高I/O密度的內(nèi)存連接，從而極大地提升了芯片的整體性能。
對于這一技術(shù)的推出，日月光集團(tuán)研發(fā)處長李長祺表示：“硅與硅互連已從焊錫凸塊進(jìn)展到微凸塊技術(shù)，這是我們行業(yè)的一大進(jìn)步。隨著我們進(jìn)入人工智能時代，對于可跨節(jié)點提升可靠性和優(yōu)化性能的更先進(jìn)互連技術(shù)需求日益增長。我們的微間距互連技術(shù)正是為了突破這一需求而生，它不僅能夠突破小芯片整合的障礙，還將持續(xù)突破極限以滿足日益增長的整合需求。”
展望未來，隨著Chiplet設(shè)計方法的繼續(xù)進(jìn)化和半導(dǎo)體互連技術(shù)的不斷發(fā)展，我們有理由相信，日月光微間距芯粒互連技術(shù)將在更多領(lǐng)域得到應(yīng)用。無論是AI、移動處理器還是MCU等關(guān)鍵產(chǎn)品，這一技術(shù)都將為其帶來前所未有的性能提升和整合優(yōu)勢。
此外，該技術(shù)還可能推動整個半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)革新和產(chǎn)業(yè)升級。隨著越來越多的企業(yè)開始采用Chiplet設(shè)計方法和微間距芯?；ミB技術(shù)，半導(dǎo)體產(chǎn)品的性能和可靠性將得到進(jìn)一步提升，整個行業(yè)也將迎來更為廣闊的發(fā)展空間。
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日月光
