2月29日，據(jù)SPIE光刻會議上的消息，英特爾技術開發(fā)負責人Ann Kelleher宣布，他們在ASML的新型高數(shù)值孔徑（High NA）EUV光刻機上實現(xiàn)了“初次曝光”的重要里程碑。ASML也對此進行了證實，并透露接下來將對該系統(tǒng)進行深入的測試和調整，以充分發(fā)揮其性能潛力。?
什么是“初次曝光”？
“初次曝光”指的是光刻系統(tǒng)首次成功將光線圖案精確投射到晶圓上。這不僅是技術驗證的關鍵一步，也標志著該光刻系統(tǒng)已經完成了其基本功能，為進一步的測試和優(yōu)化打下了堅實基礎。
此次進展的意義何在？
高數(shù)值孔徑EUV光刻技術被視為下一代芯片制造的核心技術之一。其獨特優(yōu)勢在于能夠在更緊湊的芯片空間內實現(xiàn)更為精細的電路蝕刻，從而推動芯片性能的大幅提升和能耗的顯著降低。
ASML成功實現(xiàn)“初次曝光”意味著其在高數(shù)值孔徑EUV光刻領域取得了實質性的進展。這不僅為下一代芯片的研發(fā)提供了強大支持，同時也為整個半導體行業(yè)的技術進步注入了新的活力。
值得一提的是，ASML本月初還展示了其下一代高數(shù)值孔徑極紫外（EUV）光刻機，并透露其High-NA Twinscan EXE光刻機的市場定價約為3.5億歐元。這一價格反映了該技術的先進性和高成本，但同時也預示著其可能帶來的巨大商業(yè)價值。
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