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英特爾首批兩臺EUV 光刻機投產,單季 3 萬片晶圓產量驚人

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2 月 26 日消息,英特爾公司當?shù)貢r間周一宣布,其工廠已啟用 ASML 公司首批兩臺先進光刻機進行生產。這一消息瞬間點燃行業(yè)熱情,讓英特爾再次成為全球半導體領域關注的焦點。

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產能與可靠性雙突破,優(yōu)勢顯著


在加利福尼亞州圣何塞的會議上,英特爾高級首席工程師史蒂夫?卡森(Steve Carson)披露了驚艷數(shù)據:憑借 ASML 的高數(shù)值孔徑(NA)光刻機,英特爾單季度成功產出 30,000 片晶圓。這些晶圓是芯片制造的關鍵基礎,每片能制造出數(shù)千顆芯片。尤為突出的是,新型光刻機的可靠性約為舊款機型的兩倍。卡森強調:“穩(wěn)定的晶圓生產速率,為整個平臺賦予了無可比擬的優(yōu)勢 ?!?/div>

昔日困境重重,今朝全力突圍


回顧往昔,英特爾在上一代極紫外(EUV)光刻機的應用上落后于競爭對手。耗費七年時間才將舊款光刻機全面投入生產,期間的可靠性問題更是使其痛失對臺積電的領先地位。但如今,新型光刻機的投產成為英特爾扭轉局勢的關鍵契機 。

技術革新,降本增效明顯


新型 ASML 光刻機通過獨特的光束在芯片上打印特征,展現(xiàn)出強大的技術革新能力。它能以更少的曝光次數(shù)完成與舊款機器相同的工作,大幅節(jié)省時間和成本。英特爾工廠的早期數(shù)據顯示,高 NA 光刻機僅需一次曝光和 “個位數(shù)” 的處理步驟,就能完成舊款機器需要三次曝光和約 40 個處理步驟的任務。這一技術突破,無疑極大地提升了英特爾在芯片制造領域的競爭力。

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布局未來,技術藍圖初現(xiàn)


英特爾計劃借助高 NA 光刻機大力推動其 18A 制造技術的研發(fā),該技術預計今年晚些時候將與新一代 PC 芯片一同大規(guī)模生產。英特爾還打算在下一代制造技術 14A 中全面應用高 NA 光刻機,雖然 14A 技術大規(guī)模生產的日期尚未公布,但已讓行業(yè)對英特爾的未來充滿遐想。


億配芯城(ICgoodFind)認為,英特爾引入 ASML 高 NA EUV 光刻機,是其在半導體領域的關鍵戰(zhàn)略布局。這不僅有望重塑英特爾在行業(yè)中的競爭地位,也將推動整個芯片制造技術的發(fā)展與革新。億配芯城(ICgoodFind)將持續(xù)關注英特爾及行業(yè)動態(tài),憑借自身在電子元器件領域的專業(yè)優(yōu)勢,為客戶提供優(yōu)質的產品和服務,助力行業(yè)在技術浪潮中不斷前行。

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