4月26日消息，臺(tái)積電在美國(guó)召開(kāi)了 “2025 年北美技術(shù)研討會(huì)”，此次會(huì)議吸引了超 2500 人注冊(cè)參加。在這場(chǎng)備受矚目的會(huì)議中，臺(tái)積電重磅透露，公司有望在今年下半年開(kāi)啟 N2（2nm 級(jí)）芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。N2 制程意義非凡，它將成為臺(tái)積電首個(gè)依賴(lài)環(huán)柵（GAA）納米片晶體管的生產(chǎn)技術(shù)，無(wú)疑會(huì)在半導(dǎo)體領(lǐng)域掀起一陣狂風(fēng)巨浪。?
助力多款重磅產(chǎn)品，性能功耗雙贏?
N2 制程的誕生，堪稱(chēng)眾多即將上市產(chǎn)品的福音 。明年，AMD 面向數(shù)據(jù)中心的下一代 EPYC “Venice” CPU，以及蘋(píng)果用于智能手機(jī)、平板電腦和 PC 的 2025 年芯片等，都將得益于這一先進(jìn)制程 。?
從技術(shù)優(yōu)勢(shì)來(lái)看，基于 GAAFET（環(huán)繞柵極晶體管）技術(shù)，N2 制程在提升性能和晶體管密度方面表現(xiàn)卓越 。與過(guò)往制程相比，其能實(shí)現(xiàn)顯著的功耗節(jié)省 。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，未來(lái)搭載這些芯片的設(shè)備，不僅運(yùn)行速度更快，電池續(xù)航能力也將大幅提升 。無(wú)論是手機(jī)的日常使用，還是數(shù)據(jù)中心的高強(qiáng)度運(yùn)算，N2 制程芯片都能輕松應(yīng)對(duì) 。?
N2 制程：全節(jié)點(diǎn)改進(jìn)，良率達(dá)標(biāo)?
N2 作為臺(tái)積電全新打造的制程技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了所謂的 “全節(jié)點(diǎn)改進(jìn)” 。與 N3E 相比，N2 在性能上提升 10% 至 15%，這意味著芯片能夠在更短時(shí)間內(nèi)處理更多復(fù)雜任務(wù) 。在功耗方面，N2 降低 25% 至 30%，設(shè)備的發(fā)熱問(wèn)題將得到極大緩解，同時(shí)也更加節(jié)能環(huán)保 。晶體管密度提升 15%，使得芯片在更小的空間內(nèi)集成更多的晶體管，進(jìn)一步提升了芯片的性能和功能 。?
臺(tái)積電透露，目前 N2 的晶體管性能已接近預(yù)期目標(biāo) 。值得一提的是，256Mb SRAM 模塊的平均良率超過(guò) 90% 。如此高的良率表明，隨著 N2 逐步邁向量產(chǎn)階段，其制程已達(dá)到相當(dāng)成熟的水平，為大規(guī)模生產(chǎn)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ) 。?
GAA 納米片晶體管：開(kāi)啟芯片制造新時(shí)代?
N2 制程的一大核心亮點(diǎn)，便是采用了 GAA 納米片晶體管 。這種晶體管的柵極能夠 360 度環(huán)繞溝道，且 N2 的溝道形狀為多個(gè)水平納米片 。這一獨(dú)特結(jié)構(gòu)優(yōu)勢(shì)明顯，可最大限度地增強(qiáng)對(duì)溝道的靜電控制 。通過(guò)這種方式，在不影響芯片性能或功耗的前提下，能夠?qū)⒕w管尺寸最小化，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)更高的晶體管密度 。未來(lái)，芯片將在更小的體積下，擁有更強(qiáng)大的運(yùn)算能力 。?
臺(tái)積電 N2 制造工藝若在今年下半年順利量產(chǎn)，無(wú)疑將為半導(dǎo)體行業(yè)注入新的活力 。它不僅會(huì)推動(dòng)相關(guān)產(chǎn)品性能大幅提升，還可能改變行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局 。眾多科技企業(yè)也將借助 N2 制程芯片，在市場(chǎng)中推出更具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品 。?
半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新，臺(tái)積電 N2 制程帶來(lái)新變革。億配芯城（ICgoodFind）將密切關(guān)注行業(yè)動(dòng)態(tài)，憑借專(zhuān)業(yè)優(yōu)勢(shì)，為客戶(hù)提供優(yōu)質(zhì)芯片產(chǎn)品與服務(wù)，助力行業(yè)各方把握機(jī)遇。
