隨著AI人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展，HBM高性能存儲技術(shù)已成為行業(yè)關(guān)鍵。在此背景下，全球儲存半導(dǎo)體領(lǐng)域的兩大巨頭SK海力士和三星電子紛紛加大賭注，押注于新一代人工智能存儲技術(shù)HBM（High-Bandwidth Memory）。
2月29日SK海力士宣布，任命在先進(jìn)封裝開發(fā)領(lǐng)域有著杰出貢獻(xiàn)的孫晧榮為公司新任副社長。孫晧榮在HBM技術(shù)的研發(fā)過程中，特別是在硅通孔技術(shù)（TSV）和批量回流模制底部填充（MR-MUF）技術(shù)的引進(jìn)和開發(fā)中，起到了關(guān)鍵作用。他的任命不僅體現(xiàn)了SK海力士對人工智能存儲技術(shù)的重視，也預(yù)示著公司將繼續(xù)在這一領(lǐng)域加大投入，鞏固其市場領(lǐng)導(dǎo)地位。
與此同時，美國存儲器大廠美光也在今年的世界移動通訊大會（MWC）上展示了其最新的UFS 4.0及HBM3E產(chǎn)品。美光副總裁暨行動事業(yè)群總經(jīng)理蒙提斯在接受采訪時表示，2024年對于存儲器產(chǎn)業(yè)來說將是一個重要的轉(zhuǎn)折點(diǎn)，美光將憑借新產(chǎn)品迎接新的市場機(jī)遇，對未來的營運(yùn)表現(xiàn)充滿期待。
韓國另一半導(dǎo)體巨頭三星電子也不甘示弱，公司成功發(fā)布了首款12層堆疊的HBM3E DRAM——HBM3E 12H。這款產(chǎn)品的帶寬高達(dá)1280GB/s，容量達(dá)到36GB，相比其8層堆疊的HBM3 8H，性能提升了超過50%。這一創(chuàng)新展示了三星在高性能存儲技術(shù)領(lǐng)域的深厚實(shí)力和不懈追求。
隨著AI技術(shù)的廣泛應(yīng)用，高性能存儲器的需求日益增長。SK海力士、三星和美光等半導(dǎo)體巨頭紛紛加大在HBM技術(shù)上的投入和研發(fā)，不僅體現(xiàn)了他們對市場趨勢的敏銳洞察，也預(yù)示著HBM芯片市場將迎來更加激烈的競爭和廣闊的發(fā)展前景。
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