美光 12 層堆棧 HBM 強勢量產(chǎn)，英偉達(dá)率先獲供搶占先機(jī)

by: admin 行業(yè)資訊 0 2025-03-07 21:23:55

2月18日消息，美光科技即將開啟其 12 層堆棧高帶寬內(nèi)存 (HBM) 的量產(chǎn)進(jìn)程，并且將把產(chǎn)品供應(yīng)給領(lǐng)先的AI 半導(dǎo)體公司英偉達(dá)。

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去年 9 月，美光成功完成了 12 層堆棧 HBM 的研發(fā)工作，并向英偉達(dá)等客戶展示了產(chǎn)品樣品。據(jù) 2 月份業(yè)內(nèi)人士透露，14 日，美光首席財務(wù)官 Mark Murphy 在 Wolfe Research 主辦的一場活動中著重強調(diào)了該產(chǎn)品的優(yōu)勢。Mark Murphy 表示，美光的12 堆棧 HBM 產(chǎn)品相較于競爭對手的 8 堆棧產(chǎn)品，功耗降低了 20%，容量增加了 50%。他還進(jìn)一步預(yù)測，今年下半年生產(chǎn)的 HBM 大部分將會是 12 堆棧產(chǎn)品。

HBM 技術(shù)：高性能計算的關(guān)鍵助力

HBM 技術(shù)的重要意義在于，它能夠?qū)?DRAM 芯片進(jìn)行垂直堆疊，進(jìn)而大幅提高數(shù)據(jù)處理速度和帶寬。這一特性對于高性能計算任務(wù)而言至關(guān)重要，尤其是在應(yīng)用于 AI 領(lǐng)域的 GPU 方面。隨著市場對于此類先進(jìn)內(nèi)存解決方案的需求日益增長，與英偉達(dá)簽訂供應(yīng)合同，對于內(nèi)存制造商來說，變得愈發(fā)關(guān)鍵。

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三星電子：技術(shù)落后，競爭地位受挑戰(zhàn)

美光科技憑借其 12 層堆棧 HBM 準(zhǔn)備引領(lǐng)市場潮流，然而三星電子卻在這場競爭中顯得落后。三星電子最近才進(jìn)入 8 疊層產(chǎn)品的小規(guī)模量產(chǎn)階段，并且尚未通過 12 疊層產(chǎn)品的測試。三星計劃在月底向英偉達(dá)發(fā)送 12 層堆棧 HBM 樣品產(chǎn)品，不過最終的交付還需得到批準(zhǔn)。這種時間上的延遲，極有可能影響三星在市場上的競爭地位，畢竟在市場中，技術(shù)領(lǐng)先往往意味著市場份額和收入的提升。

SK 海力士與三星：全力推進(jìn) HBM4 開發(fā)

與此同時，據(jù)報道，半導(dǎo)體行業(yè)的另一個主要參與者 SK 海力士（SK Hynix）正在加速 HBM4 的開發(fā)進(jìn)程，以滿足英偉達(dá)的需求，目標(biāo)是在年內(nèi)完成。而同樣尋求轉(zhuǎn)型的三星，也將年內(nèi)量產(chǎn) HBM4 作為目標(biāo)，計劃應(yīng)用 10 納米級第六代（1c）DRAM 技術(shù)。

下一代 HBM：行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的標(biāo)志

Mark Murphy 還宣布，下一代第六代 HBM（HBM4）預(yù)計將于明年出貨，這充分彰顯了半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新、快速發(fā)展的趨勢。隨著技術(shù)競爭的不斷加劇，能夠生產(chǎn) 12 層堆棧 HBM 以及更高級別的尖端內(nèi)存解決方案的能力，將對美光、三星和 SK 海力士等公司的財務(wù)業(yè)績和市場地位產(chǎn)生顯著影響。

億配芯城（ICgoodFind）認(rèn)為，在內(nèi)存芯片領(lǐng)域的這場激烈競爭中，美光憑借 12 層堆棧 HBM 占據(jù)了領(lǐng)先優(yōu)勢，三星和 SK 海力士也在奮力追趕。行業(yè)的快速發(fā)展和技術(shù)的不斷創(chuàng)新，既帶來了機(jī)遇也充滿挑戰(zhàn)。億配芯城（ICgoodFind）將持續(xù)關(guān)注行業(yè)動態(tài)，為客戶提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)，助力其在市場變化中把握先機(jī)

文章標(biāo)簽： HBM ，美光，英偉達(dá)