全球首發(fā)！美光憑 EUV 技術(shù)推出 1γ DDR5 DRAM 芯片

by: admin 行業(yè)資訊 0 2025-03-07 15:02:15

2月27日消息，美光科技透露已開(kāi)始向部分生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴和客戶出貨 1γ（1-gamma）16Gbit DDR5 DRAM 芯片。美光憑借自身技術(shù)實(shí)力，成為第一個(gè)采用 1-gamma（1γ）節(jié)點(diǎn)的公司。這一節(jié)點(diǎn)作為 DRAM 工藝技術(shù)的第六代，最小幾何尺寸在 19nm - 10nm 之間，隨著 DRAM 制造商向 10nm 級(jí) DRAM 邁進(jìn)，全新的命名方式取代了傳統(tǒng)納米測(cè)量，1γ 便是其中關(guān)鍵的一環(huán)。

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技術(shù)優(yōu)勢(shì)顯著，推動(dòng)多領(lǐng)域創(chuàng)新發(fā)展

美光此前在 1α 和 1β DRAM 節(jié)點(diǎn)的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，為 1γ DRAM 節(jié)點(diǎn)的突破奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。這一新里程碑意義非凡，將推動(dòng)從云端、工業(yè)、消費(fèi)應(yīng)用到端側(cè) AI 設(shè)備（如 AI PC、智能手機(jī)和汽車(chē)）等未來(lái)計(jì)算平臺(tái)的創(chuàng)新發(fā)展。通過(guò)在全球各制造基地開(kāi)發(fā) 1γ 節(jié)點(diǎn)，美光不僅能為行業(yè)提供更先進(jìn)的技術(shù)，還能增強(qiáng)供應(yīng)韌性。

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性能大幅提升，功耗顯著降低

美光的 1γ 16Gbit DDR5 DRAM 性能好，旨在提供高達(dá) 9200MT/s 的速度能力，與其前代產(chǎn)品（采用 1β 技術(shù)實(shí)現(xiàn)的 16Gbit DDR5）相比，速度提高 15%，功耗降低 20% 以上。在技術(shù)層面，1γ 節(jié)點(diǎn) EUV 技術(shù)使得晶圓容量密度產(chǎn)出提升 30%，極大地提高了美光的經(jīng)濟(jì)效益。同時(shí)，該內(nèi)存采用下一代高 K 金屬柵極 CMOS 技術(shù)，提升了晶體管性能，實(shí)現(xiàn)了更高的速率、更優(yōu)化的設(shè)計(jì)以及更小的特征尺寸，帶來(lái)功耗降低和性能擴(kuò)展的雙重優(yōu)勢(shì)。

高管發(fā)聲，未來(lái)布局明確

美光執(zhí)行副總裁暨首席技術(shù)與產(chǎn)品官 Scott DeBoer 表示：“美光憑借開(kāi)發(fā)專(zhuān)有 DRAM 技術(shù)的專(zhuān)長(zhǎng)，結(jié)合對(duì) EUV 光刻技術(shù)的戰(zhàn)略運(yùn)用，打造出基于 1γ 節(jié)點(diǎn)的先進(jìn)內(nèi)存產(chǎn)品組合，助力推動(dòng) AI 生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展。1γ DRAM 節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了更高的容量密度產(chǎn)出，彰顯了美光的制造實(shí)力和效率，并使我們能夠擴(kuò)大內(nèi)存供應(yīng)的規(guī)模，滿足行業(yè)日益增長(zhǎng)的需求?！?/div>

美光計(jì)劃在其整個(gè) DRAM 系列中引入 1γ，涵蓋用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5，用于邊緣 AI 的低功耗 DRAM，用于 AI PC 的 DDR5 SODIMM，用于移動(dòng)產(chǎn)品和汽車(chē)的 LPDDR5X。目前，客戶AMD和英特爾已經(jīng)開(kāi)始驗(yàn)證 1γ DRAM 在其服務(wù)器和消費(fèi)處理器中的使用情況。

億配芯城（ICgoodFind）認(rèn)為，美光 1γ DDR5 DRAM 芯片的推出，為半導(dǎo)體和電子元器件行業(yè)帶來(lái)新的活力。技術(shù)革新帶來(lái)的性能提升和功耗降低，將促進(jìn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。億配芯城（ICgoodFind）將持續(xù)關(guān)注行業(yè)動(dòng)態(tài)，利用自身專(zhuān)業(yè)優(yōu)勢(shì)，為客戶提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品和服務(wù)，助力行業(yè)在創(chuàng)新中前行。

文章標(biāo)簽：美光，芯片