7 月 22 日消息，據(jù)外媒 Tomshardware 報(bào)道，中國 3D?NAND?閃存制造商長江存儲，日前再次將美光訴諸法庭。此次在美國加州北區(qū)，長江存儲指控美光侵犯了其多達(dá) 11 項(xiàng)專利，涵蓋 3D NAND?Flash?和?DRAM?產(chǎn)品領(lǐng)域。
長江存儲不僅提出這一指控，還向法院請求下令美光停止在美國銷售涉嫌侵權(quán)的存儲產(chǎn)品，并要求美光支付相應(yīng)的專利使用費(fèi)。
長江存儲宣稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的部分 DDR5 SDRAM 產(chǎn)品（Y2BM 系列），均侵犯了長江存儲在美國提交的 11 項(xiàng)專利或?qū)＠暾垺?img src="http://zgjzwjg.cn/image.php/shop/data/upload/media/user/10001/image/20240722/1721620466691680.png" alt="1721620466691680.png" />
