11?月?14?日消息，SK?海力士副會(huì)長(zhǎng)兼聯(lián)席?CEO?樸正浩透露，今年公司高帶寬內(nèi)存HBM芯片出貨量為?50?萬(wàn)顆，預(yù)計(jì)到?2030?年將達(dá)到每年?1?億顆。
昨日下午，在京畿道光州東谷?CC?舉行的共享增長(zhǎng)理事會(huì)高爾夫錦標(biāo)賽結(jié)束后，樸正浩在致辭中發(fā)表了上述講話(huà)。共享增長(zhǎng)理事會(huì)是?SK?hynix?的供應(yīng)商團(tuán)體，此次高爾夫球賽由?SK?hynix?采購(gòu)部門(mén)組織發(fā)起，包括供應(yīng)商代表在內(nèi)的?100?多人參加了此次。
樸正浩在此次高爾夫球賽上分享了?HBM?的經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)和未來(lái)前景。他對(duì)供應(yīng)商代表說(shuō)：“由于設(shè)備投資的減少，整體上會(huì)比較困難，但我們將一起渡過(guò)難關(guān)”。他還強(qiáng)調(diào)，公司計(jì)劃按計(jì)劃于?2027?年開(kāi)始在龍仁集群工廠(chǎng)生產(chǎn)半導(dǎo)體。
在上月底的第三季度財(cái)報(bào)電話(huà)會(huì)議上，SK?hynix?表示計(jì)劃在今年的基礎(chǔ)上增加明年的設(shè)施投資。不過(guò)，該公司解釋說(shuō)，由于需求尚未完全恢復(fù)，投資擴(kuò)張的范圍將是有限的，重點(diǎn)將放在?HBM?上。
該公司表示，用于下一代?HBM3E?上?1b?制程?DRAM?的生產(chǎn)和堆疊的硅直通電壓電極（TSV）相關(guān)投資被視為重中之重。
據(jù)業(yè)內(nèi)人士11月13日透露，三星電子計(jì)劃從明年1月開(kāi)始向英偉達(dá)供應(yīng)高帶寬內(nèi)存HBM3，HBM3將被應(yīng)用在英偉達(dá)的圖形處理單元（GPU）上。
此前，英偉達(dá)HBM3由SK海力士一家供應(yīng)。三星電子則向美國(guó)AMD供應(yīng)HBM3，但據(jù)說(shuō)供應(yīng)有限。
英偉達(dá)是一家在人工智能（AI）GPU市場(chǎng)占據(jù)90%以上市場(chǎng)份額的公司，三星電子明年對(duì)HBM供應(yīng)量將大幅增加。如果三星電子從明年初開(kāi)始擴(kuò)大對(duì)GPU公司的HBM供應(yīng)，預(yù)計(jì)負(fù)責(zé)半導(dǎo)體的設(shè)備解決方案（DS）部門(mén)的業(yè)績(jī)將迅速提高。
作為后來(lái)者，三星正在追趕SK海力士。有人預(yù)測(cè)，明年下半年三星電子的HBM市場(chǎng)份額可能會(huì)超過(guò)50%
