東芝認(rèn)為其3D NAND BiCS在非揮發(fā)性存儲(chǔ)器產(chǎn)品成為市場(chǎng)主流前，仍有很多創(chuàng)新研發(fā)空間。法新社
在日前于美國(guó)加州舉行的2018年快閃存儲(chǔ)器高峰會(huì)(Flash Memory Summit)上，可見(jiàn)全球各主要NAND Flash制造商揭橥各自對(duì)下世代產(chǎn)品及架構(gòu)的產(chǎn)品規(guī)劃藍(lán)圖，一如預(yù)期，英特爾(Intel)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)及東芝(Toshiba)已在談?wù)換LC 3D NAND技術(shù)、發(fā)布96層3D NAND，并概述延伸至128層以上以進(jìn)一步提升密度的NAND Flash產(chǎn)品規(guī)劃藍(lán)圖，整體可見(jiàn)全球主要NAND Flash制造商持續(xù)推動(dòng)技術(shù)演進(jìn)，借以加速性能提升、提高密度及降低成本。
根據(jù)SearchStorage及富比士(Forbes)報(bào)導(dǎo)，如東芝發(fā)表稱為「XL-Flash」的低延遲存儲(chǔ)器產(chǎn)品，是以東芝單層儲(chǔ)存單元(SLC)3D NAND獨(dú)家技術(shù)「BiCS」所開(kāi)發(fā)，能夠?yàn)槎鄬訂卧?MLC)提供優(yōu)化。
東芝固態(tài)硬盤(pán)(SSD)應(yīng)用工程技術(shù)人員Shigeo Ohshima宣稱，XL-Flash具有極佳的低延遲表現(xiàn)，寫(xiě)入延遲表現(xiàn)比傳統(tǒng)TLC存儲(chǔ)器快上10倍。另外，在命令協(xié)定及界面方面完全兼容于傳統(tǒng)存儲(chǔ)器，且無(wú)需額外制程。Ohshima也表示，在ReRAM、MRAM這類非揮發(fā)性存儲(chǔ)器產(chǎn)品投入量產(chǎn)、成為主流應(yīng)用前，東芝仍有很多以3D NAND BiCS技術(shù)揮灑創(chuàng)新的空間。
Ohshima指出，XL-Flash與密度更高的QLC存儲(chǔ)器的結(jié)合，能夠處理廣泛范圍的應(yīng)用負(fù)載，并可較DRAM及硬盤(pán)(HDD)等傳統(tǒng)儲(chǔ)存架構(gòu)改善整體系統(tǒng)效能，XL-Flash與QLC存儲(chǔ)器之間的效能差距比DRAM與硬盤(pán)之間的差距小上許多，且即使XL-Flash比DRAM慢，但成本更低且可提供較高的容量。
業(yè)界認(rèn)為東芝與三星電子(Samsung Electronics)各自推XL-Flash及Z-NAND，是對(duì)英特爾與美光(Micron)共同開(kāi)發(fā)的3D XPoint所做的回應(yīng)。Wikibon技術(shù)長(zhǎng)David Floyer認(rèn)為，東芝XL-Flash及三星Z-NAND將不會(huì)達(dá)到Optane固態(tài)硬盤(pán)(SSD)效能水平，但仍可達(dá)到相當(dāng)接近水平。Objective Analysis半導(dǎo)體分析師Jim Handy認(rèn)為，XL-Flash與Z-NAND資料讀取速度會(huì)與Optane相近。
大陸存儲(chǔ)器廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)在本屆峰會(huì)上，發(fā)表針對(duì)3D NAND打造的全新Xtacking技術(shù)架構(gòu)，具備提高效能與位元密度潛力，希望以此產(chǎn)品挑戰(zhàn)既有全球NAND Flash制造商，宣稱能改善效率及I/O速度、縮減裸晶大小、增加位元密度以及縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間。長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行長(zhǎng)楊士寧宣稱，Xtacking可在沒(méi)有任何限制下達(dá)到堪比DDR4的I/O速度。
韓廠SK海力士在本屆峰會(huì)上，則發(fā)表以4D NAND來(lái)命名的該公司最新NAND Flash技術(shù)，宣稱采用電荷捕獲型(CTF)設(shè)計(jì)，結(jié)合自身CTF設(shè)計(jì)與Periphery Under Cell(PUC)技術(shù)，將外圍電路置放于陣列下方而非采圍繞方式，借以提高儲(chǔ)存密度并可降低成本。但實(shí)際上這非業(yè)界首度問(wèn)世的技術(shù)，英特爾與美光、三星都具備這類技術(shù)，此即所謂的「CuA」設(shè)計(jì)，因此業(yè)界分析師認(rèn)為取名4D NAND只是一種營(yíng)銷噱頭。
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