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泛林全球首型鉬原子層沉積設備震撼登場
2月24日消息，半導體設備巨頭泛林集團 Lam Research強勢推出全球首型鉬（Mo）原子層沉積（ALD）設備 ——ALTUS Halo 。這一開創(chuàng)性設備，一經(jīng)推出就已在邏輯半導體和3D NAND領域成功 “破冰”，獲得早期應用，引發(fā)行業(yè)內(nèi)外高度關注。
鉬元素逆襲，ALTUS Halo 實力撐腰
在半導體布線工藝的漫長發(fā)展歷程中，鎢曾憑借優(yōu)秀的溝槽填充能力 “稱霸一時”。然而，隨著半導體制程不斷向更先進的方向邁進，鎢較高的電阻成為其發(fā)展瓶頸，劣勢日益明顯。此時，鉬憑借在溝槽填充和低電阻兩方面的表現(xiàn)，異軍突起，成為布線工藝的新希望。而ALTUS Halo就像是鉬元素的 “專屬使者”，能夠精準地向半導體注入鉬。泛林集團高管自豪表示：ALTUS Halo 融合了獨特的四站模塊架構(gòu)與 ALD 新技術，成功實現(xiàn)低電阻率鉬沉積，這無疑是滿足未來芯片發(fā)展（如千層 3D NAND、4F2 DRAM、先進 GAA 邏輯電路 ）的關鍵一步。
美光點贊，合作雙贏初顯成效
美光負責 NAND 開發(fā)的副總裁毫不吝嗇對 ALTUS Halo 的稱贊：“鉬金屬化的成功集成，讓美光在新一代 NAND 產(chǎn)品中成功實現(xiàn)了業(yè)界領先的 I/O 帶寬和存儲容量。可以說，沒有泛林的 ALTUS Halo 設備，就沒有鉬的順利量產(chǎn) ?！?這一番話，足以證明 ALTUS Halo 在實際應用中的強大實力和重要價值。
同期發(fā)布蝕刻設備，技術版圖再擴張
與此同時，泛林集團還帶來了另一款重磅產(chǎn)品 —— 等離子體蝕刻設備Akira。它采用的固態(tài)等離子體源堪稱 “黑科技”，能夠讓等離子體響應速度飆升 100 倍 ，支持超高精度蝕刻，復雜的 3D 結(jié)構(gòu)對它來說也不在話下。Akira 的誕生，進一步豐富了泛林集團的技術版圖，為半導體制造提供了更多可能。
億配芯城（ICgoodFind）認為，泛林集團這兩款設備的推出，彰顯了其在半導體設備領域的強大創(chuàng)新實力，必將推動整個行業(yè)邁向新的高度。億配芯城（ICgoodFind）也將持續(xù)緊盯行業(yè)動態(tài)，憑借自身優(yōu)勢，為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的電子元器件產(chǎn)品和服務，助力行業(yè)持續(xù)繁榮發(fā)展。
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