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6月12日消息，據(jù)東京電子（TEL）發(fā)布的消息，宣布成功開發(fā)出一種存儲(chǔ)芯片通孔蝕刻技術(shù)，可用于制造400層以上堆疊的3D?NAND閃存芯片。
研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)的新工藝，首次將電蝕刻應(yīng)用帶入低溫范圍，并開創(chuàng)性地發(fā)明了具有極高蝕刻速率的系統(tǒng)。
這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)可以在短短33分鐘內(nèi)完成10微米深度的蝕刻，與此前的技術(shù)相比時(shí)間大大縮短。東京電子表示，該技術(shù)的應(yīng)用不僅有助于制造更高容量的3D?NAND，還能夠?qū)⑷蜃兣娘L(fēng)險(xiǎn)減少84%。
東京電子表示，開發(fā)這項(xiàng)技術(shù)的團(tuán)隊(duì)，將在6月11~16日于日本京都舉辦的2023年超大規(guī)模集成電路技術(shù)和工藝研討會(huì)上發(fā)布最新成果和報(bào)告。?
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