長(zhǎng)江存儲(chǔ)突破封鎖自研 3D NAND 閃存芯片！

by: admin 行業(yè)資訊 0 2025-03-07 18:19:34

9 月 25 日消息，據(jù)彭博社援引 TechInsights 報(bào)道稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在面臨美國(guó)出口限制和被列入實(shí)體清單的雙重壓力下，成功采用國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備取代了部分美系半導(dǎo)體設(shè)備。

報(bào)道指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已使用國(guó)產(chǎn)設(shè)備制造出 3D NAND 閃存芯片。其自研的 Xtacking 架構(gòu)可讓 3D NAND 的層數(shù)堆疊到 232 層，即便與美光、三星、SK 海力士等知名制造商相比，也具有極強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)突破封鎖自研 3D NAND 閃存芯片.jpg

然而，彭博社和 TechInsights 同時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)仍面臨技術(shù)障礙。其最新使用國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)的 3D NAND 芯片比早期版本少了 70 層。層數(shù)的減少主要是因?yàn)槭褂脟?guó)產(chǎn)設(shè)備導(dǎo)致制造過程中缺陷增多、良率降低。對(duì)此，長(zhǎng)江存儲(chǔ)回應(yīng)稱，公司正在不斷優(yōu)化產(chǎn)品性能，層數(shù)變化與設(shè)備產(chǎn)量無關(guān)；隨著制造工藝、流程及經(jīng)驗(yàn)的不斷成熟，會(huì)不斷增加堆疊層數(shù)。

2022 年 10 月，美國(guó)限制先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備對(duì)華出口，隨后將中國(guó) 3D NAND Flash 制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)列入實(shí)體清單。在被制裁的兩年里，長(zhǎng)江存儲(chǔ)仍在穩(wěn)步發(fā)展。此前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直依賴 ASML、泛林集團(tuán)等外國(guó)供應(yīng)商提供的關(guān)鍵工具和設(shè)備。但現(xiàn)如今，中國(guó)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商越來越多地承擔(dān)了生產(chǎn)流程的大部分，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也已轉(zhuǎn)向國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，通過使用中微半導(dǎo)體設(shè)備公司的蝕刻設(shè)備、北方華創(chuàng)的沉積與蝕刻設(shè)備、拓荊科技的沉積設(shè)備等，成功用國(guó)產(chǎn)設(shè)備制造出 3D NAND 閃存芯片。

億配芯城（ICgoodFind）認(rèn)為，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在困境中積極尋求突破，采用國(guó)產(chǎn)設(shè)備制造 3D NAND 閃存芯片，展現(xiàn)了中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的堅(jiān)韌與創(chuàng)新能力。盡管目前仍面臨一些技術(shù)挑戰(zhàn)，但隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和經(jīng)驗(yàn)的積累，相信長(zhǎng)江存儲(chǔ)能夠克服困難，為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出更大貢獻(xiàn)。億配芯城（ICgoodFind）將持續(xù)關(guān)注半導(dǎo)體行業(yè)動(dòng)態(tài)，為客戶提供優(yōu)質(zhì)的電子元器件產(chǎn)品和服務(wù)。

文章標(biāo)簽：長(zhǎng)江存儲(chǔ) ，閃存芯片