11月13日消息，近日，中國存儲芯片巨頭長江存儲近日向美國存儲芯片巨頭美光及其子公司提起專利侵權(quán)訴訟，要求法院禁止美光繼續(xù)使用長江存儲的多項3D NAND技術(shù)專利，并賠償損失和訴訟費用。長江存儲指控美光在未經(jīng)授權(quán)的情況下使用其專利技術(shù)，侵犯了其利益，遏制了其創(chuàng)新動力。
據(jù)IT之家了解，存儲芯片主要分為DRAM（動態(tài)隨機存儲）和NAND（閃存）兩類。DRAM屬于易失性存儲器，即一旦斷電存儲資料立刻流失，一般被用作內(nèi)存輔助CPU進行計算；而NAND用于存儲資料，用于制造固態(tài)硬盤。
長江存儲在起訴書中指出，美光在未經(jīng)授權(quán)的情況下使用其專利技術(shù)來與進行市場競爭，保護其市場份額，且未就使用上述專利支付合理費用。同時，美光在自己的專利文件中引用了長江存儲相關(guān)專利，證明其了解長江存儲的專利組合非常重要，但未采取任何實際行動尋求獲取長江存儲專利授權(quán)。
長江存儲還在起訴書中表示，若法院未能就美光侵犯專利下達產(chǎn)品長期禁令，則應(yīng)制定相關(guān)方案，如美光向長江存儲支付專利授權(quán)費等。
長江存儲成立于2016年7月，總部位于湖北武漢，主攻設(shè)計、制造3D NAND閃存芯片。長江存儲采用了自研的Xtacking（晶棧）架構(gòu)，在技術(shù)上已經(jīng)追上國外巨頭。在NAND領(lǐng)域，長江存儲2021年量產(chǎn)了128層3D堆疊產(chǎn)品，232層產(chǎn)品亦開始上量。
此次訴訟涉及到8項專利，包括3D NAND存儲器的形成方法、控制方法、直通陣列接觸（TAC）、讀取方法和多層堆疊方法等方面。這些專利被認為涉及到長江存儲在市場上取得成功的重要技術(shù)。
在訴訟中，長江存儲強調(diào)了美光科技的行為對其業(yè)務(wù)和聲譽造成了負面影響。此外，由于美光科技未支付使用費的指控，這也意味著長江存儲的收入受到了損失。因此，長江存儲希望通過法律手段來保護自己的權(quán)益。
對于這起訴訟，市場反應(yīng)強烈。由于涉及到兩家全球領(lǐng)先的存儲芯片公司之間的糾紛，這起訴訟將對整個存儲芯片行業(yè)產(chǎn)生影響。此外，這也將對兩家公司的財務(wù)狀況產(chǎn)生影響，因為任何判決都可能對它們的生產(chǎn)和銷售產(chǎn)生影響。
總的來說，這起訴訟將對存儲芯片行業(yè)和兩家公司的未來發(fā)展產(chǎn)生重大影響。我們將密切關(guān)注這起訴訟的進展并隨時向讀者報道最新的情況。
文章標簽：
長江存儲
