8月18日消息，據(jù)電子時(shí)報(bào)報(bào)道，為了鞏固其在NAND閃存市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，三星電子計(jì)劃再次采用雙堆疊技術(shù)來(lái)制造超過(guò)300層的3D NAND，旨在以生產(chǎn)成本優(yōu)勢(shì)超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。
韓國(guó)媒體《首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》近日援引業(yè)內(nèi)人士消息稱(chēng)，三星計(jì)劃于2024年量產(chǎn)超過(guò)300層的第9代3D NAND。預(yù)計(jì)將采用雙堆疊技術(shù)生產(chǎn)，其中包括在兩個(gè)獨(dú)立過(guò)程中創(chuàng)建NAND存儲(chǔ)器，然后將它們組裝在一起。2020年，三星從第7代176層3D NAND芯片開(kāi)始首次采用雙堆疊技術(shù)。
在這個(gè)技術(shù)上，三星已經(jīng)成為了市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者。其采用雙堆疊技術(shù)生產(chǎn)的第8代1Y 1T 3D NAND已經(jīng)成為了市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品，而其他廠商還在生產(chǎn)64層或者96層的3D NAND。
然而，三星并沒(méi)有止步于此。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星計(jì)劃在第9代3D NAND中再次采用雙堆疊技術(shù)，生產(chǎn)超過(guò)300層的NAND芯片。這將使三星進(jìn)一步鞏固其在市場(chǎng)上的領(lǐng)先地位，并繼續(xù)保持其生產(chǎn)成本的優(yōu)勢(shì)。
與三星不同，SK海力士計(jì)劃采用三重堆疊技術(shù)來(lái)生產(chǎn)3D NAND。該公司計(jì)劃在未來(lái)的產(chǎn)品中采用這項(xiàng)技術(shù)，生產(chǎn)出超過(guò)400層的NAND芯片。然而，這項(xiàng)技術(shù)可能會(huì)帶來(lái)更高的成本，因?yàn)樾枰a(chǎn)三組獨(dú)立的3D NAND層，然后將它們組合在一起。
在去年10月份舉辦的“三星技術(shù)日2022”上，三星公布了到2030年實(shí)現(xiàn)堆疊多達(dá)1000層的愿景。當(dāng)時(shí)，業(yè)內(nèi)專(zhuān)家猜測(cè)，在第9代3D NAND之后，三星可能會(huì)在第10代430層產(chǎn)品中采用三重堆疊技術(shù)。韓國(guó)業(yè)內(nèi)人士一致認(rèn)為，如果不采用三重堆疊工藝，3D NAND要實(shí)現(xiàn)超過(guò)400層的堆疊將是一個(gè)挑戰(zhàn)。
然而，三重堆疊技術(shù)和雙堆疊技術(shù)在成本和效率方面仍然存在顯著差異。顯然，使用雙堆疊工藝在原材料和生產(chǎn)成本方面具有優(yōu)勢(shì)。這意味著，三星采用雙堆疊技術(shù)生產(chǎn)超過(guò)300層的3D NAND，將進(jìn)一步鞏固其在市場(chǎng)上的領(lǐng)先地位，并繼續(xù)保持其生產(chǎn)成本的優(yōu)勢(shì)。
隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，NAND閃存市場(chǎng)將會(huì)越來(lái)越激烈。各大廠商將會(huì)繼續(xù)投入巨資，不斷研發(fā)新的技術(shù)，以鞏固自己在市場(chǎng)上的地位。而作為市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者，三星采用雙堆疊技術(shù)生產(chǎn)超過(guò)300層的3D NAND，無(wú)疑將會(huì)成為市場(chǎng)的一大亮點(diǎn)。
