?8月30日消息，士蘭微近日公告，公司擬與關(guān)聯(lián)人大基金二期、非關(guān)聯(lián)人海創(chuàng)發(fā)展基金以貨幣方式共同出資12億元認(rèn)繳關(guān)聯(lián)參股公司廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司本次新增注冊(cè)資本11.9億元，士蘭微將取得士蘭明鎵控股權(quán)，而大基金二期將持有14.11%股份。公告中稱，公司以未來向特定對(duì)象發(fā)行股份所募集的資金出資7.50億元，對(duì)應(yīng)士蘭明鎵認(rèn)繳新增注冊(cè)資本7.44億元；大基金二期以自有資金出資3.50億元，對(duì)應(yīng)認(rèn)繳士蘭明鎵新增注冊(cè)資本3.47億元；海創(chuàng)發(fā)展基金以自有資金出資1億元，對(duì)應(yīng)認(rèn)繳士蘭明鎵新增注冊(cè)資本9916.77萬元；各方出資金額和認(rèn)繳注冊(cè)資本之間的差額均計(jì)入士蘭明鎵的資本公積。
在本次增資前，士蘭微僅持有士蘭明鎵34.72%股權(quán)，增資后持股比例升至48.16%，大基金二期持有14.11%股份，海創(chuàng)發(fā)展基金持有4.03%股份；而原來的第一大股東廈門半導(dǎo)體放棄同比例增資的權(quán)利，因此股份被稀釋至33.7%。
公開資料顯示，廈門銘鎵主營業(yè)務(wù)為化合物半導(dǎo)體芯片制造，去年7月，公司啟動(dòng)了“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”。該項(xiàng)目計(jì)劃投資15億元，建設(shè)一條6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線，最終形成年產(chǎn)14.4萬片6英寸SiC功率器件芯片的產(chǎn)能，其中SiC-MOSFET芯片12萬片/年、SiC-SBD芯片2.4萬片/年。
而士蘭微參與本次增資的資金來源于去年的定增事項(xiàng)所募得的款項(xiàng)：此前公司披露，擬發(fā)行股票募集資金總額不超過65億元，其中7.50億元用于實(shí)施“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”，并明確“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”通過公司參股公司士蘭明鎵具體實(shí)施，募集資金將通過公司向士蘭明鎵增資的方式投入，本次增資后公司將取得士蘭明鎵的控制權(quán)。“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”其他資金將通過公司自籌的方式解決。?
在本次增資前，士蘭微僅持有士蘭明鎵34.72%股權(quán)，增資后持股比例升至48.16%，大基金二期持有14.11%股份，海創(chuàng)發(fā)展基金持有4.03%股份；而原來的第一大股東廈門半導(dǎo)體放棄同比例增資的權(quán)利，因此股份被稀釋至33.7%。公開資料顯示，廈門銘鎵主營業(yè)務(wù)為化合物半導(dǎo)體芯片制造，去年7月，公司啟動(dòng)了“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”。該項(xiàng)目計(jì)劃投資15億元，建設(shè)一條6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線，最終形成年產(chǎn)14.4萬片6英寸SiC功率器件芯片的產(chǎn)能，其中SiC-MOSFET芯片12萬片/年、SiC-SBD芯片2.4萬片/年。
而士蘭微參與本次增資的資金來源于去年的定增事項(xiàng)所募得的款項(xiàng)：此前公司披露，擬發(fā)行股票募集資金總額不超過65億元，其中7.50億元用于實(shí)施“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”，并明確“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”通過公司參股公司士蘭明鎵具體實(shí)施，募集資金將通過公司向士蘭明鎵增資的方式投入，本次增資后公司將取得士蘭明鎵的控制權(quán)。“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”其他資金將通過公司自籌的方式解決。?
