11月2日消息，據(jù)武漢經(jīng)開區(qū)官方消息，近日首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅SiC模塊已經(jīng)從智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線順利下線，并完成了自主封裝、測試以及應(yīng)用老化試驗。這一突破性的碳化硅模塊采用了納米銀燒結(jié)工藝和銅鍵合技術(shù)，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板。相比于傳統(tǒng)工藝，該模塊的熱阻降低了10%以上，工作溫度高達(dá)175℃，而損耗則比IGBT模塊大幅降低40%以上。這一創(chuàng)新技術(shù)將有望提升整車?yán)m(xù)航里程5%-8%。
武漢經(jīng)開區(qū)消息透露，智新半導(dǎo)體公司的碳化硅模塊項目是基于東風(fēng)集團(tuán)新一代800V高壓平臺“馬赫動力”進(jìn)行開發(fā)的。該項目于2021年進(jìn)行前期先行開發(fā)，2022年12月正式被立項為量產(chǎn)項目。
智新半導(dǎo)體自成立以來，已申請受理專利51項，其中發(fā)明專利40項，已授權(quán)專利20項，其中發(fā)明專利11項。公司的研發(fā)實力得到了行業(yè)內(nèi)的廣泛認(rèn)可。
早在2019年6月，東風(fēng)公司就與中國中車合資成立了智新半導(dǎo)體有限公司，開始自主研發(fā)和生產(chǎn)車規(guī)級IGBT模塊。2021年7月，以第6代IGBT技術(shù)為基礎(chǔ)的生產(chǎn)線啟動量產(chǎn)。這一重要進(jìn)展為智新半導(dǎo)體的碳化硅模塊項目奠定了堅實的基礎(chǔ)。
那么，什么是第6代IGBT技術(shù)呢？IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)和電子設(shè)備中。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，IGBT的代際也在不斷更新。第6代IGBT技術(shù)是當(dāng)前先進(jìn)的IGBT技術(shù)之一，具有更高的開關(guān)頻率、更低的損耗和更高的可靠性。
目前，我國的第6代IGBT技術(shù)已經(jīng)取得了重要進(jìn)展。國內(nèi)的多家企業(yè)已經(jīng)開始研發(fā)和生產(chǎn)第6代IGBT芯片，并應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。其中，智新半導(dǎo)體作為東風(fēng)公司和中車的合資企業(yè)，已經(jīng)在第6代IGBT技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用方面取得了顯著成果。
智新半導(dǎo)體的碳化硅模塊項目二期已于2022年三季度啟動，預(yù)計在2023年5月開工建設(shè)。該項目計劃新建一條車規(guī)級IGBT模塊生產(chǎn)線，實現(xiàn)新增年產(chǎn)30萬件汽車模塊的生產(chǎn)能力。這一項目的實施將進(jìn)一步鞏固智新半導(dǎo)體在國內(nèi)IGBT領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，并為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn)。
總之，智新半導(dǎo)體的碳化硅模塊順利下線標(biāo)志著我國在半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了又一重大突破。同時，我國在IGBT技術(shù)方面也正在不斷追趕國際領(lǐng)先水平，并逐步實現(xiàn)國產(chǎn)替代。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前景將更加廣闊。
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半導(dǎo)體公司
