10月20日消息，全球半導(dǎo)體制造企業(yè)格芯（GlobalFoundries，前格羅方德）近日發(fā)布新聞稿，宣布獲得美國國防部提供的3500萬美元資金，以加速其位于佛蒙特州埃塞克斯工廠制造硅基氮化鎵(GaN on Si)芯片的進(jìn)程。
格芯是從AMD半導(dǎo)體的制造部門獨(dú)立出來的，目前是世界第四大專業(yè)晶圓代工廠，旗下?lián)碛械聡吕鬯诡D、美國奧斯汀和紐約州(建設(shè)中)等多座工廠。此次獲得的資金將用于支持該公司在硅基氮化鎵技術(shù)方面的研發(fā)和生產(chǎn)工作。
硅基氮化鎵是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高頻率、高功率和高效率等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于航空航天、汽車和通信等領(lǐng)域。格芯表示，該公司在該領(lǐng)域擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)積累，并已經(jīng)具備了在200mm晶圓上大規(guī)模生產(chǎn)硅基氮化鎵芯片的能力。此次獲得的資金將用于進(jìn)一步推進(jìn)該公司在該領(lǐng)域的研發(fā)和生產(chǎn)工作，加速實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
據(jù)悉，這筆資金建立在格芯與美國政府多年合作的基礎(chǔ)上。此前，該公司已經(jīng)獲得過美國政府的多項(xiàng)資金支持。其中，2020年至2022年期間，格芯獲得了4000萬美元的支持，用于推動(dòng)硅基氮化鎵技術(shù)的發(fā)展。此次獲得的3500萬美元資金將使該公司更接近200mm晶圓上硅基氮化鎵的量產(chǎn)，200mm晶圓是GaN技術(shù)的最進(jìn)技術(shù)。
值得一提的是，格芯在制造硅基氮化鎵芯片方面擁有獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。該公司采用直接在硅片上生長氮化鎵薄膜的技術(shù)路線，可以更好地控制芯片的性能和質(zhì)量，同時(shí)降低制造成本和生產(chǎn)周期。此外，格芯還具備完整的生產(chǎn)線和供應(yīng)鏈，可以提供從半導(dǎo)體材料到芯片制造的一站式服務(wù)，這將有助于客戶更快地將產(chǎn)品推向市場(chǎng)。
此次獲得美國國防部的資金支持，將進(jìn)一步鞏固格芯在硅基氮化鎵芯片制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。未來，該公司將繼續(xù)加大對(duì)該領(lǐng)域的研發(fā)投入，積極拓展市場(chǎng)應(yīng)用場(chǎng)景，為全球客戶提供更優(yōu)質(zhì)、更高效的半導(dǎo)體產(chǎn)品和服務(wù)。
除此之外，格芯還致力于加強(qiáng)與美國政府和國防部門的合作，以推動(dòng)該公司在國防和安全領(lǐng)域的創(chuàng)新和發(fā)展。未來，該公司將繼續(xù)加強(qiáng)與美國政府和國防部門的合作，積極推動(dòng)數(shù)字化轉(zhuǎn)型和現(xiàn)代化升級(jí)，為保障國家安全和推動(dòng)經(jīng)濟(jì)發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn)。
總的來說，格芯此次獲得美國國防部的資金支持，不僅將有助于加速硅基氮化鎵芯片的量產(chǎn)進(jìn)程，同時(shí)也將進(jìn)一步鞏固該公司在全球半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的地位。未來，該公司將繼續(xù)加大研發(fā)投入和市場(chǎng)拓展力度，為客戶提供更優(yōu)質(zhì)、更高效的半導(dǎo)體產(chǎn)品和服務(wù)。
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格芯
