格芯今日宣布基于其22nm FD-SOI?(22FDX)?平臺的嵌入式、磁阻型非易失性存儲器(eMRAM)?已投入生產(chǎn)。格芯正在接洽多家客戶，計劃2020年安排多次生產(chǎn)流片。
此次公告是一個重要的行業(yè)里程碑，表明eMRAM可在物聯(lián)網(wǎng)?(IoT)、通用微控制器、汽車、終端人工智能和其他低功耗應(yīng)用中作為先進工藝節(jié)點的高性價比選擇。
格芯的eMRAM產(chǎn)品旨在替代高容量嵌入式NOR閃存(eFlash)，幫助設(shè)計人員擴展現(xiàn)有物聯(lián)網(wǎng)和微控制器單元架構(gòu)，以實現(xiàn)28nm以下技術(shù)節(jié)點的功率和密度優(yōu)勢。
格芯表示，該款eMRAM是一款可靠的多功能嵌入式非易失性存儲器?(eNVM)，已通過了5次嚴格的回流焊實測，在-40℃至125℃溫度范圍內(nèi)具有100,000次使用壽命和10年數(shù)據(jù)保存期限。FDX eMRAM解決方案支持AEC-Q100 2級設(shè)計，且還在開發(fā)工藝，預(yù)計明年將支持AEC-Q100 1級解決方案。
?eMRAM是一種可擴展功能，預(yù)計將在FinFET和未來的FDX平臺上推出，作為公司先進eNVM路線圖的組成部分。格芯位于德國德累斯頓1號晶圓廠的先進300mm產(chǎn)品線將為MRAM22FDX的量產(chǎn)提供支持。
Intel、三星也在研究eMRAM
除了格芯，Intel、三星多年來一直都在研究eMRAM。
2019年2月有報告顯示，英特爾自己的商用MRAM（磁阻隨機存取存儲器）已經(jīng)準備好大批量生產(chǎn)。
當時，英特爾工程師Ligiong Wei在論文中說，英特爾嵌入式MRAM技術(shù)可在200攝氏度下實現(xiàn)長達10 年的記憶期，并可在超過100萬個開關(guān)周期內(nèi)實現(xiàn)持久性。MRAM省電的特性，意味著英特爾嵌入式MRAM將很有可能先用于移動設(shè)備上。
并且嵌入式 MRAM 被認為特別適用于例如物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設(shè)備之類的應(yīng)用，也趕搭上?5G?世代的列車。
三星也在2019年3月6日宣布正式量產(chǎn)首款商用的eMRAM（嵌入式磁隨機存取存儲器），采用三星的28FDS（28nm FD-SOI，耗盡型絕緣層上硅）工藝制造。
三星當時宣布，將在2019年擴大其高密度非易失性存儲器解決方案的選擇范圍，包括推出1Gb的eMRAM的測試芯片。并且宣稱他們基于28FDS工藝的eMRAM技術(shù)能提供更低的成本和功耗，在寫入速度上也更具優(yōu)勢。其物理特性決定在寫入數(shù)據(jù)前不需要擦除周期，寫入速度比現(xiàn)在的eFlash快1000倍。eMRAM在工作時電壓比eFlash更低，所以功耗更低。
為什么都在研究eMRAM？
據(jù)了解，作為常用的eFlash閃存技術(shù)的發(fā)展到了瓶頸期，這種基于電荷存儲方式的存儲器已經(jīng)面臨了很多挑戰(zhàn)。而eMRAM作為基于電阻的存儲方式在非易失性，隨機訪問等方面擁有比eFlash更好的表現(xiàn)。
eMRAM綜合了RAM內(nèi)存、NAND閃存的新型非易失性存儲介質(zhì)斷電后不會丟失數(shù)據(jù)，寫入速度則數(shù)千倍于閃存，可以兼做內(nèi)存和硬盤，甚至統(tǒng)一兩者。同時很關(guān)鍵的是，它對制造工藝要求低，良品率也高得多，可以更好地控制成本，成品價格自然不會太離譜。
MRAM主要利用磁致電阻的變化來表示二進制的0和1，從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲，是一種非易失性存儲技術(shù)，這意味著即使斷電情況下，它仍然會保留住信息，同時它還有不輸于DRAM的容量密度及使用壽命，平均能耗也遠低于DRAM。由于不管是DRAM內(nèi)存還是NAND閃存，制程微縮已遭遇瓶頸，相對地，MRAM未來制程微縮仍有許多發(fā)展空間，MRAM因此備受期待，認為可以取代DRAM內(nèi)存和NAND閃存。
經(jīng)過十余年的發(fā)展，eMRAM 技術(shù)終于在 2018 年下半年進入成熟期，行業(yè)市場普遍接納了其作為 28nm 及以下工藝節(jié)點嵌入式存儲技術(shù)的最佳解決方案。eMRAM 得益于其優(yōu)良的技術(shù)特性，便成為了 eFlash 和 eSRAM （L3 及以下層級的緩存應(yīng)用）的最佳替代方案。正是因為其巨大的市場潛力，eMRAM獲得了晶圓代工廠的青睞，這也是格芯、英特爾、三星等晶圓代工廠都紛紛投入研究eMRAM的原因。
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格芯
