2024 年，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金第三期（大基金三期）正式成立，注冊資本高達3440 億元，這一消息猶如一顆重磅炸彈，瞬間在半導體行業(yè)掀起波瀾。從 2014 年首期基金成立至今，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金持續(xù)為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入強勁動力。首期基金規(guī)模 1387 億元，二期增至 2041.5 億元，前兩期投資已在芯片制造、設計、封測等關鍵環(huán)節(jié)發(fā)揮重要作用，推動產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。如今大基金三期的設立，無疑給行業(yè)打了一劑 “強心針”。
隨著中美科技摩擦持續(xù)升級，美國對中國半導體產(chǎn)業(yè)的限制不斷加碼。高端芯片、芯片設計工具（EDA）、光刻設備及材料的出口管制愈發(fā)嚴格，尤其是今年 5 月底，EDA 三大巨頭對華禁售，讓國內(nèi)半導體企業(yè)深刻感受到 “卡脖子” 之痛。在此背景下，大基金三期正重新調整投資方向。在繼續(xù)支持半導體設備和材料的基礎上，重點聚焦高附加值的DRAM 芯片（如 HBM）、人工智能芯片、先進半導體設備（如光刻機）以及半導體材料（如光刻膠）?等領域，致力于解決國產(chǎn)半導體設備和材料的研發(fā)與生產(chǎn)難題。
調整后的大基金三期資金，將重點投入到國產(chǎn)光刻機研發(fā)以及芯片設計 EDA 工具領域。這一舉措旨在降低對ASML、Cadence等海外廠商的依賴，從源頭上保障我國半導體產(chǎn)業(yè)的自主可控。同時，支持半導體制造關鍵設備與高端材料等核心領域，通過本土創(chuàng)新或并購等方式，加速追趕國際先進水平。比如，在光刻機研發(fā)上加大投入，有望推動國內(nèi)光刻技術取得突破，打破國外壟斷；對半導體材料的支持，能助力光刻膠等關鍵材料實現(xiàn)國產(chǎn)化，保障產(chǎn)業(yè)鏈的穩(wěn)定供應。
業(yè)內(nèi)分析普遍認為，大基金三期的投資方向調整意義重大，有望加速突破半導體領域的 “卡脖子” 環(huán)節(jié)，推動產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)實現(xiàn)自主可控。然而，也要清醒地認識到，在這些關鍵領域，我國與國際先進水平仍存在差距，短期內(nèi)完全替代海外技術并非易事。例如，光刻機作為半導體制造的核心設備，技術復雜程度極高，實現(xiàn)國產(chǎn)替代需要長期的技術積累和大量的資金投入。但無論如何，大基金三期的調整都為行業(yè)發(fā)展指明了方向，提供了強大的資金支持。
半導體行業(yè)發(fā)展瞬息萬變，億配芯城（ICgoodFind）將持續(xù)關注大基金三期后續(xù)動向，為行業(yè)伙伴帶來最新資訊。
