11月15日消息，據(jù)韓國(guó)今日電子新聞報(bào)道，三星計(jì)劃進(jìn)口更多ASML極紫外EUV光刻機(jī)設(shè)備，總價(jià)值可能高達(dá)10萬(wàn)億韓元。?
據(jù)悉，韓國(guó)三星電子在2023第三季度的虧損為3.75萬(wàn)億韓元，再加上之前兩個(gè)季度的虧損，三星電子總虧損額已經(jīng)達(dá)到了12.69萬(wàn)億韓元（約為699億）。
雖然由于合同中的保密條款未能披露具體細(xì)節(jié)，但證券市場(chǎng)消息稱，該協(xié)議將使ASML在五年內(nèi)提供總共50套設(shè)備，而每臺(tái)單價(jià)約為2000億韓元，總價(jià)值可達(dá)10萬(wàn)億韓元（當(dāng)前約551億元人民幣）。目前尚不清楚其合同中的產(chǎn)品是現(xiàn)有EUV光刻設(shè)備還是下一代“High NA EUV”光刻設(shè)備。不過，目前EUV光刻設(shè)備很大的問題是產(chǎn)量有限。據(jù)官方介紹，它“比衛(wèi)星部件還復(fù)雜”，每年只能生產(chǎn)很有限的數(shù)量。據(jù)說去年是40臺(tái)，今年ASML估計(jì)是60臺(tái)。而目前需要且能購(gòu)買到EUV光刻設(shè)備的廠商有五家：三星電子、臺(tái)積電、英特爾、SK海力士和美光。其中，臺(tái)積電約占供應(yīng)量的70%，剩下四家公司爭(zhēng)奪剩下的30%。
三星電子于去年6月推出了全球首個(gè)采用全柵極（GAA）技術(shù)的3nm代工技術(shù)，因此該公司一直在努力確保采購(gòu)更多EUV光刻設(shè)備，目標(biāo)是在明年上半年進(jìn)入3nm世代的第二代工藝，在2025年進(jìn)入2nm工藝，在2027年進(jìn)入1.4nm工藝。
隨著半導(dǎo)體設(shè)備工藝的不斷進(jìn)步，對(duì)制造設(shè)備的要求也越來越高。EUV光刻技術(shù)作為一種先進(jìn)的制造技術(shù)，能夠提高芯片的性能和集成度，因此備受行業(yè)關(guān)注。三星作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商之一，不斷追求更先進(jìn)的制造工藝和技術(shù)，以確保其在市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。此次進(jìn)口更多的EUV光刻設(shè)備，也是三星繼續(xù)加強(qiáng)制造能力的重要舉措之一。?
