2月10日，GlobalFoundries（格芯）最近宣布，已收購(gòu)瑞薩電子（Renesas Electronics）的專利和經(jīng)過生產(chǎn)驗(yàn)證的傳導(dǎo)橋接RAM（CBRAM）芯片技術(shù)，這是一種低功耗存儲(chǔ)器解決方案，旨在實(shí)現(xiàn)家庭和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)以及智能移動(dòng)設(shè)備的一系列應(yīng)用。?
GlobalFoundries宣布收購(gòu)瑞薩CBRAM低功耗存儲(chǔ)芯片技術(shù)。
該交易進(jìn)一步加強(qiáng)了格芯的存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合，并通過增加另一個(gè)可靠的、可定制的嵌入式存儲(chǔ)器解決方案來擴(kuò)大其嵌入式非易失性存儲(chǔ)器芯片（NVM），該解決方案相對(duì)容易集成到其他芯片技術(shù)節(jié)點(diǎn)。具體而言，這項(xiàng)技術(shù)將使客戶進(jìn)一步差異化他們的SoC設(shè)計(jì)，并推動(dòng)新一代安全和智能設(shè)備的發(fā)展。
格芯說，“我們致力于差異化我們的技術(shù)組合，成為我們客戶今天和未來幾十年高能效物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的基礎(chǔ)。通過收購(gòu)這一創(chuàng)新的存儲(chǔ)器技術(shù)，格芯現(xiàn)在在加快NVM解決方案的開發(fā)方面發(fā)揮了至關(guān)重要的作用，這將使我們的客戶能夠設(shè)計(jì)下一代智能互聯(lián)設(shè)備。CBRAM技術(shù)開啟了性能和超低功耗的新范式，使從可穿戴設(shè)備到智能手機(jī)的應(yīng)用程序在特定用例中將電池充電時(shí)間從幾小時(shí)延長(zhǎng)到幾周甚至幾年?！?/span>
GlobalFoundries（格芯）宣布收購(gòu)瑞薩CBRAM低功耗存儲(chǔ)技術(shù)。?
CBRAM的低功耗、高讀/寫速度、低制造成本以及對(duì)惡劣環(huán)境的耐受性使其成為消費(fèi)者、醫(yī)療和某些工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。2020年，格芯與Dialog Semiconductor（于2021年被瑞薩收購(gòu)）達(dá)成許可協(xié)議，將其CBRAM芯片技術(shù)作為嵌入式NVM選項(xiàng)。CBRAM目前正在該公司的22FDX平臺(tái)上進(jìn)行認(rèn)證，并計(jì)劃將其擴(kuò)展到其他平臺(tái)。
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芯片技術(shù)
