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21 人因芯片技術泄密被依法逮捕!

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12 月 4 日消息在半導體行業(yè)引起軒然大波。據(jù)韓國警方 3 日消息披露,一名三星電子前工程師因涉嫌嚴重的不當行為而陷入法律困境。其不僅涉嫌挖角三星電子的半導體核心技術人才,更為嚴重的是,還向在華芯片公司泄漏了 20 納米DRAM內(nèi)存芯片技術,此等行徑致使其遭逮捕并移送檢方。

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韓聯(lián)社報道詳細指出,首爾警察廳產(chǎn)業(yè)技術安全偵查隊當天表明,這名 64 歲的三星電子前工程師因涉嫌違反 “職業(yè)安定法” 而被依法逮捕,并迅速移送至首爾中央地方檢察廳。


據(jù)深入報道內(nèi)容顯示,該男子曾以顧問身份深度參與創(chuàng)立成都高真公司。與此同時,其在韓國本土成立獵頭公司,以具有吸引力的至少 2 至 3 倍的優(yōu)渥薪資為誘餌,大肆挖角三星電子核心技術人才,其目的在于協(xié)助在中國 “復刻” 動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)工廠。令人震驚的是,他們竟于 2022 年 4 月成功生產(chǎn)出半導體晶圓。


這座DRAM工廠從完工到投產(chǎn)僅僅耗費了 1 年 3 個月的時間。與之形成鮮明對比的是,一般情況下,晶圓從測試到量產(chǎn)通常需要漫長的 4 至 5 年時間。

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韓國警方著重提及,此次外流技術的經(jīng)濟價值高達 4.3 萬億韓元(約 30.4 億美元),若將相關經(jīng)濟效益綜合考量進去,實際損失規(guī)??芍^極其龐大,這無疑對韓國半導體產(chǎn)業(yè)造成了沉重打擊。


除了這名前工程師之外,還有以相同惡劣手法挖角韓國半導體人才的 2 位獵頭公司代表及法人也被依法移送法辦。據(jù)悉,這些獵頭公司已成功挖角逾 30 名技術人員,如此大規(guī)模的技術人才流失,嚴重影響了韓國半導體產(chǎn)業(yè)的技術根基與發(fā)展?jié)摿Α?/div>


盡管韓國國家關鍵技術出現(xiàn)外流的嚴峻情況,但警方在執(zhí)法過程中卻面臨法律困境。由于現(xiàn)行法規(guī)的限制,警方只能依據(jù)刑責相對較輕的「職業(yè)安定法」,而非更為針對性的「產(chǎn)業(yè)技術保護法」來逮捕涉案嫌犯。


警方對此詳細解釋道,根據(jù)現(xiàn)行法規(guī)規(guī)定,以「挖角」方式導致技術外流的行為并不屬于「產(chǎn)業(yè)技術保護法」規(guī)定的懲處范圍,這一法律漏洞凸顯出來,因此有必要針對相關法律進行及時修法,以實現(xiàn)對商業(yè)間諜行為的嚴厲懲處,從而有效保護韓國的關鍵技術與產(chǎn)業(yè)利益。

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報道進一步指出,包括前三星電子工程師在內(nèi),此次技術外泄案共有 21 人遭移送法辦。


成都高真創(chuàng)辦人、三星電子前常務兼SK 海力士前副社長崔珍奭等人則已被依法逮捕,他們涉嫌違反「產(chǎn)業(yè)技術保護法」及「防止不正當競爭及商業(yè)秘密保護法」,其行為嚴重破壞了市場競爭的公平性與產(chǎn)業(yè)技術的保密性。

億配芯城?ICGOODFIND總結:


在全球半導體產(chǎn)業(yè)競爭激烈且技術保密至關重要的大背景下,三星電子技術外泄事件成為行業(yè)焦點。億配芯城ICGOODFIND始終密切關注行業(yè)動態(tài)。此次事件中,前工程師與獵頭公司挖角并泄漏DRAM技術,雖工廠快速投產(chǎn)但給韓國造成巨大經(jīng)濟損失,法律懲處依據(jù)不足凸顯修法必要性,眾多涉案人員被移送法辦。這為半導體企業(yè)在技術保護、人才管理與法律合規(guī)方面敲響警鐘,促使行業(yè)反思如何加強技術保密措施、規(guī)范人才流動并完善法律監(jiān)管體系以維護產(chǎn)業(yè)安全與公平競爭環(huán)境。

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