?近日據(jù)The?Elec報道，由于供需極度失衡，高端半導體芯片DRAM，FALSH等制造中使用的前端關(guān)鍵材料鉿，價格自去年以來便持續(xù)上漲。?
由于供需極度失衡，高端的半導體芯片DRAM制造中使用的前端關(guān)鍵材料鉿，價格自去年以來持續(xù)上漲。韓國半導體行業(yè)負責人表示，從2021年到去年底，半導體用鉿的價格上漲100%，漲勢目前依舊非常陡峭。另有多家外媒報道，全球鉿價從去年初的每公斤1200-1400美元飆升至今年年初的4500-4800美元。
其中，在半導體行業(yè)中，現(xiàn)有高k材料主要是鋯（Zr），但鉿更適合微加工半導體芯片，且穩(wěn)定性更突出。鉿氧化物薄膜是很可能用于COMS和下一代DRAM中的候選高介電常數(shù)（高k）絕緣層材料。
因此，報道指出，三星電子、SK海力士等存儲芯片大廠在生產(chǎn)最先進DRAM時，也著手增加鉿的用量。而這兩家公司每年的鉿采購量都有100多噸。
此前，英特爾曾在45nm晶體管中，用鉿替代二氧化硅，可在顯著降低漏電量的同時保持高電容。
另外，自45nm技術(shù)節(jié)點開始，特別是28nm以下的先進CMOS技術(shù)普遍采用的高k/金屬柵技術(shù)均以鉿基氧化物作為核心材料，被摩爾定律提出者評價為CMOS技術(shù)發(fā)明以來最大的技術(shù)革命。
而以鉿基氧化物為代表的新型阻變存儲器（RRAM）技術(shù)，也已展示出低壓、低功耗、高密度集成的特點與存算融合等新功能。
從需求端來看，增加鉿供給量也頗具難度。這一金屬并不是直接從作為原料的礦石中生產(chǎn)的，而是生產(chǎn)鋯時的副產(chǎn)品，而在這一過程中，鋯鉿比例僅為50:1。
同時，法國和美國幾乎壟斷了鉿市場，而俄羅斯和烏克蘭的供應(yīng)去年因俄烏沖突中斷?
