5月25日消息，美光在華被禁售后，韓國(guó)政府呼吁重新審查美國(guó)芯片補(bǔ)貼與科學(xué)法案的資金補(bǔ)助附帶條件，或進(jìn)一步放寬已在美國(guó)投資的韓國(guó)半導(dǎo)體廠商在中國(guó)的擴(kuò)產(chǎn)限制。據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)5月23日?qǐng)?bào)道，韓國(guó)政府已于5月23日向美國(guó)商務(wù)部提出正式要求，要求針對(duì)芯片補(bǔ)貼與科學(xué)法案提供資金補(bǔ)助的附帶條件進(jìn)行重新檢視。?
據(jù)報(bào)道，這些條件涉及韓國(guó)半導(dǎo)體廠商未來(lái)在中國(guó)發(fā)展的關(guān)鍵。韓國(guó)政府表示，美國(guó)芯片與科學(xué)法案資金補(bǔ)助的附帶條件不應(yīng)給已經(jīng)在美國(guó)進(jìn)行投資的公司帶來(lái)不合理的壓力與負(fù)擔(dān)。
根據(jù)美國(guó)芯片與科學(xué)法案資金補(bǔ)助的附帶條件規(guī)定，接受美國(guó)政府資金補(bǔ)助的企業(yè)在未來(lái)10年在中國(guó)或被關(guān)注的國(guó)家產(chǎn)線的擴(kuò)產(chǎn)，先進(jìn)制程僅準(zhǔn)許增加5%，成熟制程則僅允許增加10%。針對(duì)此，韓國(guó)政府要求美國(guó)對(duì)先進(jìn)制程的產(chǎn)業(yè)擴(kuò)產(chǎn)限制要提高到10%。
對(duì)于先進(jìn)與成熟半導(dǎo)體制程的區(qū)別，美國(guó)商務(wù)部的定義是邏輯芯片生產(chǎn)制程低于28奈米以下、DRAM制程低于18奈米以下、NAND?Flash快閃存儲(chǔ)器高于128層堆棧者就屬于先進(jìn)半導(dǎo)體制程，反之就是成熟半導(dǎo)體制程。美國(guó)的目的在于限制中國(guó)在先進(jìn)半導(dǎo)體制程上的發(fā)展。
韓國(guó)政府對(duì)美國(guó)提出對(duì)芯片與科學(xué)法案提供資金補(bǔ)助的附帶條件重新審視，是因?yàn)槟壳耙呀?jīng)在美國(guó)進(jìn)行投資的韓國(guó)兩大半導(dǎo)體廠商三星和SK海力士，旗下在中國(guó)都有龐大的產(chǎn)線。其中，三星在西安有一座NAND?Flash快閃存儲(chǔ)器工廠，在蘇州也有一座芯片封裝廠。而三星的西安工廠產(chǎn)能占該公司全球NAND?Flash快閃存儲(chǔ)器近40%的產(chǎn)能。另外，SK海力士在無(wú)錫有一座DRAM工廠，在大連經(jīng)營(yíng)一家NAND?Flash快閃存儲(chǔ)器工廠，在重慶則有一座芯片封裝廠。SK海力士的無(wú)錫工廠生產(chǎn)該公司全球48%的DRAM。?
文章標(biāo)簽：
美光
