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IBM 攜手 Rapidus研發(fā)1nm 以下芯片

IBM 正積極與日本芯片制造商Rapidus構建長期穩(wěn)固的合作關系,目標鎖定在開發(fā)1nm 以下的先進芯片。在已有的2nm 芯片合作基礎上,IBM 果斷行動,派遣工程師進駐 Rapidus 位于北海道的工廠,這一舉措清晰展現(xiàn)出雙方合作不斷升溫,致力于共同推動下一代半導體生產技術的決心。同時,這也彰顯出日本在芯片創(chuàng)新領域持續(xù)加大投資力度,試圖在全球芯片競爭中搶占高地。

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IBM 半導體研發(fā)部門總經理 Mukesh Khare 直言,IBM 對與 Rapidus 建立長期合作興致勃勃,旨在全力推進下一代半導體技術的發(fā)展。當下,雙方在 2nm 芯片量產方面的合作正如火如荼,而 IBM 的目光更為長遠,期望能在更先進的工藝節(jié)點上,繼續(xù)與 Rapidus 攜手共進。

IBM 有著清晰的技術藍圖,計劃在未來幾年內成功開發(fā)1nm 以下的半導體技術。而 Rapidus 極有可能在未來承擔起這些先進芯片的量產重任。Mukesh Khare 透露,IBM 已向 Rapidus 北海道工廠派遣了約10 名工程師。并且著重強調,IBM 將傾盡全力,支持 Rapidus 在2027 年前順利實現(xiàn)2nm 芯片的量產目標。

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早在 2024 年 6 月,IBM 與 Rapidus 就已攜手,共同擴大合作范疇,致力于開發(fā)量產技術,聚焦2nm 級半導體。這一合作受到日本新能源和產業(yè)技術綜合開發(fā)機構(NEDO)項目的大力支持,旨在推動下一代半導體的Chiplet(芯粒)?和封裝設計。到 2024 年 12 月,合作取得重大突破,雙方創(chuàng)新性地提出 “選擇性層縮減” 的新型芯片構建方法。借助這一工藝,成功實現(xiàn)了具有多閾值電壓(multi-Vt)的納米片環(huán)繞柵極晶體管的穩(wěn)定生產。這一技術創(chuàng)新為更節(jié)能、更復雜的計算提供了可能,對于推動 2nm 晶體管邁向量產階段意義非凡。

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