4月10日消息，業(yè)界傳出重磅消息：三星電子半導(dǎo)體研究所已正式啟動(dòng) 1nm 晶圓代工工藝的開發(fā) 。鑒于在即將量產(chǎn)的 2nm 工藝等方面，與行業(yè)巨頭臺(tái)積電存在明顯差距 ，三星電子決定背水一戰(zhàn)，加速 1nm 級(jí)工藝的研發(fā)，期望借此創(chuàng)造反轉(zhuǎn)機(jī)會(huì) 。
組建精銳團(tuán)隊(duì)，推進(jìn)前沿研發(fā)
為確保 1nm 工藝研發(fā)順利進(jìn)行 ，三星電子從參與 2nm 等最尖端工藝開發(fā)的研究員中，選拔出精英人才 ，組建了專門的項(xiàng)目團(tuán)隊(duì) 。在三星電子現(xiàn)有的公開晶圓代工工藝路線圖中 ，原計(jì)劃于 2027 年量產(chǎn)的 1.4nm 工藝曾是其最前沿的規(guī)劃 。如今，1nm 工藝研發(fā)的啟動(dòng)，無疑將三星的技術(shù)探索又向前推進(jìn)了一大步 。
技術(shù)與設(shè)備雙重挑戰(zhàn)，量產(chǎn)時(shí)間待定
1nm 工藝堪稱半導(dǎo)體領(lǐng)域的 “珠穆朗瑪峰” ，要成功攻克，不僅需要打破現(xiàn)有設(shè)計(jì)框架的全新技術(shù)概念 ，還需引入高數(shù)值孔徑極紫外光（High - NA EUV）光刻機(jī)等下一代先進(jìn)設(shè)備 。據(jù)消息透露 ，三星方面初步將 1nm 工藝的量產(chǎn)時(shí)間定在 2029 年之后 。這一決策背后，是對(duì)技術(shù)難度和研發(fā)周期的謹(jǐn)慎評(píng)估 。
技術(shù)差距倒逼，提前布局謀變
在當(dāng)下的半導(dǎo)體代工市場(chǎng) ，競(jìng)爭(zhēng)異常激烈 。三星電子在正在量產(chǎn)的 3nm 和今年計(jì)劃量產(chǎn)的 2nm 領(lǐng)域 ，技術(shù)上均落后于臺(tái)積電 。尤其是 2nm 工藝 ，臺(tái)積電的良率已超過 60% ，與三星電子拉開了不小的差距 。正是這種現(xiàn)實(shí)壓力，促使三星電子提前啟動(dòng) 1nm 工藝開發(fā) ，試圖通過技術(shù)的跨越式發(fā)展，重塑市場(chǎng)格局 。
對(duì)手亦在加速，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)白熱化
與此同時(shí) ，三星的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電也沒有絲毫懈怠 。去年 4 月 ，臺(tái)積電宣布將在 2026 年下半年開始生產(chǎn)介于 1.4nm 和 2nm 之間的 1.6nm（16A）技術(shù) 。這一舉措不僅是為了應(yīng)對(duì)快速變化的人工智能（AI）半導(dǎo)體市場(chǎng)技術(shù)需求 ，更是為其下一代工藝搭建橋梁 。在這場(chǎng)半導(dǎo)體工藝競(jìng)賽中，各企業(yè)都在爭(zhēng)分奪秒，加速技術(shù)迭代 。
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億配芯城（ICgoodFind）認(rèn)為，三星發(fā)力 1nm 工藝凸顯半導(dǎo)體代工競(jìng)爭(zhēng)激烈。技術(shù)迭代快，企業(yè)需緊跟潮流。億配芯城（ICgoodFind）將持續(xù)關(guān)注動(dòng)態(tài)，以專業(yè)優(yōu)勢(shì)為客戶提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品與服務(wù)，助力行業(yè)在變革中前行。
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