1月31日，據(jù)外媒報(bào)道，在即將于今年2月召開的國際固態(tài)電路峰會ISSCC上，三星電子將發(fā)布下一代V9 QLC NAND閃存解決方案。據(jù)悉，該方案的閃存層數(shù)將達(dá)到驚人的280層，再度刷新業(yè)界記錄。
這款三星V9 QLC存儲產(chǎn)品不僅在層數(shù)上取得了突破，更在存儲密度和傳輸速率上實(shí)現(xiàn)了顯著提升。其每平方毫米的存儲密度高達(dá)28.5Gb，而傳輸率更是達(dá)到了3.2 Gbps，相較于目前市場上的QLC產(chǎn)品（2.4 Gbps），傳輸速率提高了不少，甚至已經(jīng)滿足了未來PCIe 6.0方案的需求。
業(yè)界普遍認(rèn)為，三星V9 QLC將成為迄今為止閃存密度最高的解決方案。
值得注意的是，在三星之前，包括美光、SK海力士等在內(nèi)的存儲大廠閃存層數(shù)均已突破200層。其中，美光的存儲層數(shù)為232層，每平方毫米的存儲密度為19.5Gb；而SK海力士則達(dá)到了238層，每平方毫米的存儲密度為14.4Gb。
然而，280層并不是存儲大廠閃存層數(shù)的終點(diǎn)。事實(shí)上，各大廠商都在競相突破更高的層數(shù)。2023年8月，SK海力士對外展示了全球最高層321層NAND閃存樣品，計(jì)劃于2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)悉，SK海力士321層1Tb TLC NAND的效率比上一代238層512Gb提高了59%。
其他廠商方面，美光計(jì)劃在推出2YY、3XX與4XX等更高層數(shù)產(chǎn)品后，雄心壯志地計(jì)劃在2030年使V-NAND達(dá)到1000多層。同時(shí)，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也在積極研發(fā)300層以上的3D NAND產(chǎn)品。
然而，盡管存儲大廠們在技術(shù)上取得了顯著的突破，但受全球經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)和消費(fèi)電子市場需求低迷的影響，存儲器產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了較長時(shí)間的調(diào)整期。直到2023年第四季度，存儲器市場才迎來反彈，相關(guān)存儲大廠的業(yè)績也開始扭虧為盈。
全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢的調(diào)查顯示，NAND Flash產(chǎn)品合約價(jià)格自2022年第三季開始連續(xù)四個(gè)季度下跌，直到2023年第三季開始起漲。在面對2024年市場需求展望仍保守的前提下，NAND Flash價(jià)格走勢將取決于供應(yīng)商產(chǎn)能利用率情況。集邦咨詢預(yù)測第1季NAND Flash合約價(jià)將上漲18~23%，第二季合約價(jià)季漲幅將收斂至3~8%。第三季進(jìn)入傳統(tǒng)旺季，合約價(jià)季漲幅有機(jī)會同步擴(kuò)大至8~13%。第四季在供應(yīng)商能夠維持有效的控產(chǎn)策略的前提下，漲勢應(yīng)能延續(xù)，NAND Flash合約價(jià)季漲幅預(yù)估0~5%。
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