2月18日消息，三星電子正全力以赴解決其高帶寬存儲器HBM3E 產(chǎn)品存在的初始缺陷問題，積極推進設(shè)計改進工作。其計劃在第一季度末開啟增強型產(chǎn)品的批量生產(chǎn)與供應(yīng)。三星電子的一位代表明確證實，“我們正按照計劃籌備改進后的 HBM3E 產(chǎn)品”，并且預(yù)計從第二季度起，產(chǎn)品的供應(yīng)量將實現(xiàn)顯著增長。
高層會晤，凸顯改進緊迫性
三星電子設(shè)備解決方案（DS）部門負責(zé)人兼副董事長全永鉉（Jun Young-hyun）與英偉達?CEO 黃仁勛近期舉行了一場備受矚目的會議，這無疑凸顯了改進工作的緊迫性。此次會議于加利福尼亞州桑尼維爾的英偉達總部舉行，雙方重點圍繞三星第五代 HBM3E 產(chǎn)品向英偉達的供應(yīng)問題展開討論。這場意外的會面引發(fā)了外界的諸多猜測，不少人認為三星 8 層 HBM3E 產(chǎn)品的質(zhì)量認證已臨近完成階段，而這一步對于三星正式躋身英偉達 HBM 供應(yīng)鏈而言至關(guān)重要。
業(yè)內(nèi)看好，官方態(tài)度謹慎
業(yè)內(nèi)人士表示，“全永鉉此次赴美與黃仁勛會面，主要目的在于探討 8 層 HBM3E 產(chǎn)品近期的改進情況，以及相關(guān)質(zhì)量認證的進展，這無疑是一個積極的信號?！?然而，三星電子代表卻保持著謹慎的態(tài)度，稱 “我們無法確認與客戶相關(guān)的事宜?！?/p>
HBM3E 技術(shù)：高性能計算的關(guān)鍵支撐
HBM3E 技術(shù)代表著 HBM 領(lǐng)域的最新發(fā)展成果，以其高速度和高效率而聞名，該技術(shù)是通過垂直堆疊內(nèi)存芯片得以實現(xiàn)的。HBM3E 技術(shù)是高性能計算（HPC）和圖形應(yīng)用中不可或缺的重要部分，更是英偉達高價值圖形處理單元（GPU）的關(guān)鍵組件。
競爭激烈，三星面臨挑戰(zhàn)重重
盡管三星在 HBM3E 方面取得了一定的進步，但在 HBM 市場中，它依然面臨著激烈的競爭，尤其是來自SK 海力士的競爭壓力。自 2024 年 3 月起，SK 海力士便已開始大規(guī)模生產(chǎn)并向英偉達供應(yīng) 8 層 HBM3E 產(chǎn)品。不僅如此，SK 海力士還進一步發(fā)展到能夠供應(yīng)更為復(fù)雜的 12 層產(chǎn)品，而這一里程碑是三星至今尚未實現(xiàn)的。如此的競爭格局，充分凸顯了三星在追趕競爭對手過程中所面臨的巨大挑戰(zhàn)。
