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型號: IXFX32N100P
描述: Trans MOSFET N-CH 1kV 32A 3Pin(3+Tab) PLUS 247
商品二維碼
封 裝: TO-247-3
貨 期:
包裝方式: Tube
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
133.89  元 133.89元
1+:
¥ 153.9735
10+:
¥ 149.9568
50+:
¥ 146.8773
100+:
¥ 145.8062
200+:
¥ 145.0029
500+:
¥ 143.9318
1000+:
¥ 143.2623
2000+:
¥ 142.5929
數(shù)量
1+
10+
50+
100+
200+
價(jià)格
153.9735
149.9568
146.8773
145.8062
145.0029
價(jià)格 153.9735 149.9568 146.8773 145.8062 145.0029
起批量 1+ 10+ 50+ 100+ 200+
  • 運(yùn)費(fèi)   有貨 運(yùn)費(fèi)價(jià)格:13.00
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技術(shù)參數(shù)/通道數(shù):

1

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

960W (Tc)

?

技術(shù)參數(shù)/閾值電壓:

6.5 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

1000 V

?

技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間:

55 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

14200pF @25V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間:

43 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

150 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

960W (Tc)

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Through Hole

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-247-3

?

外形尺寸/寬度:

5.21 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-247-3

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tube

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

RoHS Compliant

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

Lead Free

?

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型號 品牌 相似度 封裝 簡介 數(shù)據(jù)手冊
IXFK32N100Q3 IXFK32N100Q3 IXYS Semiconductor 功能相似 TO-264-3
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET? Q3 系列 HiperFET? Power MOSFET 的 IXYS Q3 類極其適用于硬切換和諧振模式應(yīng)用,可提供帶有卓越強(qiáng)度的低柵極電荷。 該設(shè)備包含一個(gè)快速本質(zhì)二極管且提供各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝,包括隔離類型,帶有額定值高達(dá) 1100V 和 70A。 典型應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池充電器、開關(guān)模式和諧振模式電源、直流斬波器、溫度和照明控制。 快速本質(zhì)整流器二極管 低 RDS(接通)和 QG(柵極電荷) 低本質(zhì)柵極電阻 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝 低封裝電感 高功率密度
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