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型號: IXFK32N100Q3
描述: N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET? Q3 系列 HiperFET? Power MOSFET 的 IXYS Q3 類極其適用于硬切換和諧振模式應(yīng)用,可提供帶有卓越強度的低柵極電荷。 該設(shè)備包含一個快速本質(zhì)二極管且提供各種工業(yè)標準封裝,包括隔離類型,帶有額定值高達 1100V 和 70A。 典型應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池充電器、開關(guān)模式和諧振模式電源、直流斬波器、溫度和照明控制。 快速本質(zhì)整流器二極管 低 RDS(接通)和 QG(柵極電荷) 低本質(zhì)柵極電阻 工業(yè)標準封裝 低封裝電感 高功率密度
商品二維碼
封 裝: TO-264-3
貨 期:
包裝方式: Tube
標準包裝數(shù): 1
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1+:
¥ 199.5825
10+:
¥ 194.3760
50+:
¥ 190.3844
100+:
¥ 188.9960
200+:
¥ 187.9547
500+:
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1000+:
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2000+:
¥ 184.8308
數(shù)量
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價格
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技術(shù)參數(shù)/通道數(shù):

1

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

320 mΩ

?

技術(shù)參數(shù)/極性:

N-CH

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

1250 W

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

1000 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓:

1000 V

?

技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids):

32A

?

技術(shù)參數(shù)/上升時間:

15 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

9940pF @25V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max):

1250 W

?

技術(shù)參數(shù)/下降時間:

12 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

150 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

1250W (Tc)

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Through Hole

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-264-3

?

外形尺寸/長度:

19.96 mm

?

外形尺寸/寬度:

5.13 mm

?

外形尺寸/高度:

26.16 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-264-3

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tube

?

符合標準/RoHS標準:

RoHS Compliant

?

符合標準/含鉛標準:

Lead Free

?

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