6月17日，據(jù)韓國(guó)知名科技媒體The Elec報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商SK海力士正計(jì)劃大幅增加其1b nm制程DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）的產(chǎn)能。此舉是為了滿足市場(chǎng)上對(duì)于高性能HBM3E（高帶寬內(nèi)存3E）的強(qiáng)勁需求。
隨著大數(shù)據(jù)、云計(jì)算和人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展，高性能計(jì)算（HPC）領(lǐng)域?qū)?nèi)存帶寬和容量的需求不斷增長(zhǎng)。HBM內(nèi)存作為一種高性能、高帶寬的內(nèi)存解決方案，在HPC領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，由于HBM內(nèi)存對(duì)DRAM裸片的消耗遠(yuǎn)高于標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存，市場(chǎng)上的HBM內(nèi)存供應(yīng)一直相對(duì)緊張。
為了緩解HBM內(nèi)存的緊缺狀況，SK海力士決定進(jìn)一步擴(kuò)張其1b nm制程DRAM的產(chǎn)能。據(jù)公司透露，他們計(jì)劃到今年年底將1b nm內(nèi)存晶圓的投片量增至9萬(wàn)片，并在明年上半年進(jìn)一步增加到14至15萬(wàn)片。這將使得SK海力士在全球DRAM市場(chǎng)中占據(jù)更加有利的位置。
為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，SK海力士計(jì)劃將其位于京畿道利川市的M16內(nèi)存晶圓廠進(jìn)行升級(jí)。M16晶圓廠目前主要生產(chǎn)1y nm DRAM內(nèi)存，但SK海力士計(jì)劃將其全面轉(zhuǎn)產(chǎn)至更為先進(jìn)的1b nm制程。這一轉(zhuǎn)變將使得M16晶圓廠的產(chǎn)能得到顯著提升，但也可能導(dǎo)致1y nm產(chǎn)能的下降。據(jù)估計(jì)，如果M16晶圓廠完全轉(zhuǎn)產(chǎn)至1b nm制程，其1y nm產(chǎn)能將從現(xiàn)在的每月12萬(wàn)片晶圓下降至5萬(wàn)片。
為了順利推進(jìn)M16晶圓廠的升級(jí)工作，SK海力士已經(jīng)提出了對(duì)晶圓廠進(jìn)行設(shè)備移動(dòng)和改造的要求。他們計(jì)劃僅引進(jìn)必需的沉積、光刻和蝕刻核心設(shè)備，以確保升級(jí)工作的順利進(jìn)行。這一決策體現(xiàn)了SK海力士在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的深厚實(shí)力和豐富經(jīng)驗(yàn)。
盡管SK海力士的追加投資受到此前存儲(chǔ)行業(yè)低谷期的影響，整體決策流程十分謹(jǐn)慎，但目前相關(guān)訂單的增長(zhǎng)已經(jīng)超出了上游設(shè)備廠商的最初預(yù)期。這表明市場(chǎng)對(duì)高性能內(nèi)存的需求依然旺盛，而SK海力士通過(guò)加大產(chǎn)能投入和升級(jí)晶圓廠等舉措，將有望在未來(lái)市場(chǎng)中占據(jù)更加重要的地位。
_214.png "億配芯城 (2).png")
