6月24日消息，全球半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)軍者瑞薩電子宣布，已成功完成對氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體全球供應(yīng)商Transphorm的收購，收購價高達(dá)3.39億美元。此次收購標(biāo)志著瑞薩電子在寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局邁出了重要一步，同時也加劇了與英飛凌在GaN設(shè)備領(lǐng)域的競爭。
隨著交易的完成，瑞薩電子迅速推出了15種基于GaN的參考設(shè)計(jì)，這些設(shè)計(jì)涵蓋了嵌入式處理、電源、連接和模擬產(chǎn)品等多個領(lǐng)域，充分展現(xiàn)了瑞薩電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的深厚實(shí)力和創(chuàng)新精神。特別值得一提的是，瑞薩電子此次推出的參考設(shè)計(jì)中，還包括了Transphorm的汽車級GaN技術(shù)設(shè)計(jì)，該技術(shù)將廣泛應(yīng)用于車載電池充電器以及電動汽車的三合一動力系統(tǒng)解決方案，進(jìn)一步凸顯了瑞薩電子在電動汽車領(lǐng)域的雄心壯志。
瑞薩電子高級副總裁兼電源總經(jīng)理Chris Allexandre對此表示：“通過集成兩家公司技術(shù)的交鑰匙參考設(shè)計(jì)，我們的客戶可以立即從新的GaN產(chǎn)品中受益。將GaN添加到我們的產(chǎn)品陣容中，不僅加強(qiáng)了我們對高性能、高效率半導(dǎo)體產(chǎn)品的投入，也堅(jiān)定了我們致力于開發(fā)讓人們的生活更輕松的產(chǎn)品和技術(shù)的承諾。我們堅(jiān)信，提供節(jié)能、降低成本和最da限度減少環(huán)境影響的強(qiáng)大且可持續(xù)的電源解決方案，是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的最好途徑。”
為了進(jìn)一步加強(qiáng)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的競爭力，瑞薩電子近期還采取了一系列重要舉措。首先，瑞薩電子開設(shè)了甲府工廠，這是一座專門用于電源產(chǎn)品的300mm晶圓廠，預(yù)計(jì)將大幅提升其電源產(chǎn)品的產(chǎn)能和質(zhì)量。其次，瑞薩電子在高崎工廠增加了一條新的碳化硅（SiC）生產(chǎn)線，以滿足對高性能、高可靠性功率半導(dǎo)體產(chǎn)品不斷增長的需求。最后，瑞薩電子還與Wolfspeed達(dá)成了長期供應(yīng)協(xié)議，確保未來10年SiC晶圓的穩(wěn)定供應(yīng)，為其在功率半導(dǎo)體市場的持續(xù)領(lǐng)先地位提供了有力保障。
Transphorm作為全球領(lǐng)先的GaN功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，自2007年成立以來，一直致力于研發(fā)和生產(chǎn)高性能、高效率的GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，并在市場上取得了顯著成果。此次被瑞薩電子收購后，Transphorm將融入瑞薩電子強(qiáng)大的研發(fā)和生產(chǎn)體系中，共同推動GaN功率半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新和發(fā)展。
與傳統(tǒng)的硅基器件相比，GaN和SiC等寬帶隙（WBG）材料具有更高的功率效率、更高的開關(guān)頻率和更小的占用空間等顯著優(yōu)勢。這些優(yōu)勢使得GaN和SiC等WBG材料成為下一代功率半導(dǎo)體的關(guān)鍵技術(shù)之一。受電動汽車、逆變器、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、人工智能（AI）、可再生能源、工業(yè)電源轉(zhuǎn)換和消費(fèi)應(yīng)用等需求的推動，GaN和SiC產(chǎn)品預(yù)計(jì)在未來十年內(nèi)都將實(shí)現(xiàn)快速增長。
