近期，半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)生一起備受矚目的法律事件。1月16日，英諾賽科在港交所發(fā)布公告，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司及其全資附屬公司英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司，于2025年1月16日正式向中國江蘇省蘇州市中級人民法院提起訴訟，而被起訴的對象為英飛凌科技（中國）有限公司（被告一）、英飛凌科技（無錫）有限公司（被告二）以及蘇州芯沃科電子科技有限公司（ChipsWork，被告三）。這一訴訟事件瞬間在行業(yè)內(nèi)引起軒然大波，各方目光紛紛聚焦于此。
涉案專利詳情
此次訴訟涉及兩項(xiàng)關(guān)鍵專利，分別為202311774650.7號專利以及202211387983.X號專利。其中，202311774650.7號專利聚焦于一種氮化鎵（GaN）功率器件及其制備方法，202211387983.X號專利則涉及一種氮化物基半導(dǎo)體器件及其制造方法。氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，在功率器件領(lǐng)域具有重要應(yīng)用，這兩項(xiàng)專利對于英諾賽科在該領(lǐng)域的技術(shù)布局和市場競爭意義非凡。
起訴緣由與訴求
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據(jù)英諾賽科公司公告，此次起訴有著明確的原因。被告一、被告二和被告三未經(jīng)原告允許，擅自實(shí)施了許諾銷售、銷售、進(jìn)口涉案侵權(quán)產(chǎn)品的行為，英諾賽科認(rèn)為，這種行為嚴(yán)重構(gòu)成對涉案專利的侵權(quán)?；诖?，原告堅(jiān)信被告應(yīng)當(dāng)承擔(dān)相應(yīng)的法律責(zé)任。具體而言，被告需停止侵權(quán)行為，以避免對英諾賽科的合法權(quán)益造成進(jìn)一步損害，同時(shí)，被告還需承擔(dān)賠償責(zé)任，對英諾賽科因侵權(quán)行為所遭受的損失進(jìn)行補(bǔ)償。
被告之間的關(guān)聯(lián)
根據(jù)起訴狀所提供的信息，被告之間存在緊密的關(guān)聯(lián)。被告二是被告一的全資控股子公司，并且還是英飛凌中文網(wǎng)站的備案主體。而從英飛凌中文網(wǎng)站可知，被告三是被告一、被告二于中國的增值分銷商。這種復(fù)雜的關(guān)系網(wǎng)絡(luò)，使得此次專利侵權(quán)訴訟的法律關(guān)系更加錯綜復(fù)雜。
億配芯城 ICGOODFIND總結(jié)：
當(dāng)下，英諾賽科起訴事件引發(fā)關(guān)注。億配芯城與ICGOODFIND認(rèn)為，該事件或影響氮化鎵領(lǐng)域格局，行業(yè)企業(yè)應(yīng)關(guān)注動態(tài)，重視知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)。
