12 月 31 日消息，在全球半導(dǎo)體行業(yè)的前沿陣地，臺(tái)積電的一舉一動(dòng)都牽動(dòng)著整個(gè)產(chǎn)業(yè)的神經(jīng)。據(jù)悉，業(yè)界傳出一則令人矚目的消息：臺(tái)積電已于竹科寶山廠開啟了 2nm 制程的小量風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，試產(chǎn)量約為 5,000 片，并且這一試產(chǎn)工作進(jìn)展得頗為順利，這無(wú)疑為 2nm 制程的如期量產(chǎn)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，讓人們對(duì)其未來(lái)的大規(guī)模生產(chǎn)充滿了期待。不僅如此，后續(xù)高雄廠也已規(guī)劃好將緊密跟進(jìn)，加入 2nm 制程的量產(chǎn)行列，這一系列布局顯示了臺(tái)積電在 2nm 技術(shù)領(lǐng)域全面發(fā)力、搶占市場(chǎng)先機(jī)的決心和實(shí)力。
** 臺(tái)積電先前在法說(shuō)會(huì)上明確提到，其 2nm 制程技術(shù)的研發(fā)工作一直處于穩(wěn)步推進(jìn)且進(jìn)展順利的狀態(tài)，無(wú)論是設(shè)備性能還是良率，皆按照既定計(jì)劃穩(wěn)步提升，甚至在某些方面還優(yōu)于最初的預(yù)期。** 這一成果的取得，背后是臺(tái)積電多年來(lái)在半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域的深厚積累和持續(xù)投入，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)?wèi){借精湛的技術(shù)工藝和創(chuàng)新的研發(fā)理念，攻克了一個(gè)又一個(gè)技術(shù)難關(guān)，從材料科學(xué)到光刻技術(shù)，從工藝優(yōu)化到設(shè)備調(diào)試，每一個(gè)環(huán)節(jié)都做到了精益求精，才使得 2nm 制程技術(shù)在設(shè)備性能和良率上達(dá)到了如此令人滿意的水平，為后續(xù)的量產(chǎn)工作掃除了關(guān)鍵障礙。
** 按照臺(tái)積電的規(guī)劃，2nm 制程將如期在 2025 年邁入量產(chǎn)階段，其量產(chǎn)曲線預(yù)計(jì)與 3nm 相似。** 這意味著臺(tái)積電已經(jīng)對(duì) 2nm 制程的量產(chǎn)節(jié)奏有了清晰的把握和成熟的規(guī)劃，借鑒 3nm 量產(chǎn)過(guò)程中的經(jīng)驗(yàn)和教訓(xùn)，能夠更加高效地組織生產(chǎn)、調(diào)配資源，確保 2nm 制程在量產(chǎn)過(guò)程中既能保證產(chǎn)品質(zhì)量，又能滿足市場(chǎng)對(duì)于產(chǎn)能的需求，從而在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中保持領(lǐng)先地位，為眾多高端芯片應(yīng)用提供強(qiáng)大的技術(shù)支持。
** 臺(tái)積電還積極推出 N2P 制程技術(shù)，作為 2nm 家族的重要延伸，這一技術(shù)將為智能手機(jī)和高性能計(jì)算（HPC）應(yīng)用提供有力支持，預(yù)計(jì)在 2026 下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。** 隨著智能手機(jī)功能的日益強(qiáng)大和高性能計(jì)算需求的不斷增長(zhǎng)，對(duì)于芯片的性能和功耗提出了更高的要求。N2P 制程技術(shù)的推出，正是臺(tái)積電針對(duì)這些市場(chǎng)需求做出的精準(zhǔn)回應(yīng)，通過(guò)進(jìn)一步優(yōu)化 2nm 制程技術(shù)，提高芯片的性能和能效比，滿足智能手機(jī)和高性能計(jì)算領(lǐng)域?qū)τ谛酒耐昝雷非螅型谖磥?lái)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中開辟出一片廣闊的新天地，為臺(tái)積電帶來(lái)新的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)點(diǎn)，同時(shí)也推動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步。
** 臺(tái)積電目前已將 2nm 生產(chǎn)基地精心規(guī)劃于竹科寶山與高雄廠區(qū)。臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家日前在法說(shuō)會(huì)上指出，高性能計(jì)算（HPC）加速往小芯片（Chiplet）設(shè)計(jì)方向發(fā)展，但這并不會(huì)對(duì) 2nm 的采用狀況產(chǎn)生負(fù)面影響，反而客戶對(duì) 2nm 的詢問(wèn)熱度持續(xù)攀升，目前客戶對(duì) 2nm 的需求甚至比 3nm 還要高，預(yù)計(jì)其產(chǎn)能也將會(huì)相應(yīng)地達(dá)到更高水平。** 這一市場(chǎng)反饋充分顯示了 2nm 制程在行業(yè)內(nèi)的高度關(guān)注度和市場(chǎng)潛力，眾多客戶對(duì)于 2nm 制程的青睞，源于其能夠?yàn)楦叨诵酒瑤?lái)的性能提升和功耗降低等顯著優(yōu)勢(shì)，這也促使臺(tái)積電更加堅(jiān)定地加大在 2nm 生產(chǎn)基地建設(shè)和產(chǎn)能擴(kuò)充方面的投入，以滿足市場(chǎng)的旺盛需求，進(jìn)一步鞏固其在全球半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的龍頭地位。
臺(tái)積電持續(xù)堅(jiān)定地推進(jìn) 2nm 在 2025 年量產(chǎn)的目標(biāo)。據(jù)深入了解，臺(tái)積電 2nm 寶山第一廠已于 2024 年 4 月順利完成設(shè)備進(jìn)機(jī)工作，這標(biāo)志著該廠的硬件設(shè)施建設(shè)已初步到位，為后續(xù)的生產(chǎn)調(diào)試和試產(chǎn)工作提供了物質(zhì)基礎(chǔ)；2024 年 6 月，臺(tái)積電更是創(chuàng)新性地使用英偉達(dá) cuLitho 平臺(tái)結(jié)合 AI 技術(shù)加速風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)流程，這一舉措充分體現(xiàn)了臺(tái)積電在技術(shù)應(yīng)用上的前瞻性和創(chuàng)新性，通過(guò)引入先進(jìn)的計(jì)算平臺(tái)和人工智能技術(shù)，能夠更加高效地優(yōu)化試產(chǎn)流程、提高試產(chǎn)效率、降低試產(chǎn)成本，為 2nm 制程的早日量產(chǎn)提供了技術(shù)保障；后續(xù)寶山第二廠也在緊鑼密鼓地按照既定進(jìn)度推進(jìn)建設(shè)工作，確保整個(gè)寶山廠區(qū)能夠形成完整的 2nm 生產(chǎn)能力；高雄廠在 2nm 擴(kuò)充規(guī)劃方面同樣進(jìn)展順利，原先預(yù)定相關(guān)設(shè)備最快 2025 年第三季度進(jìn)機(jī)，然而實(shí)際情況已提前于今年 11 月便陸續(xù)開始進(jìn)機(jī)，較原先計(jì)劃超前了約半年以上，這一顯著的進(jìn)度提前，不僅體現(xiàn)了臺(tái)積電在項(xiàng)目執(zhí)行上的高效性和靈活性，也為高雄廠早日實(shí)現(xiàn) 2nm 量產(chǎn)贏得了寶貴的時(shí)間，使其能夠更快地響應(yīng)市場(chǎng)需求，提升臺(tái)積電在全球 2nm 芯片市場(chǎng)的供應(yīng)能力和競(jìng)爭(zhēng)力。
億配芯城?ICGOODFIND總結(jié)：
在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈且技術(shù)迭代加速的大背景下，臺(tái)積電的 2nm 制程發(fā)展成為行業(yè)焦點(diǎn)。億配芯城與ICGOODFIND關(guān)注到，臺(tái)積電憑借其在技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)規(guī)劃和市場(chǎng)布局上的優(yōu)勢(shì)，在 2nm 制程上取得了顯著進(jìn)展，從試產(chǎn)順利到量產(chǎn)規(guī)劃清晰，再到技術(shù)延伸和產(chǎn)能擴(kuò)充，各方面都展現(xiàn)出強(qiáng)大的實(shí)力和前瞻性。這為半導(dǎo)體企業(yè)在高端制程技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)基地建設(shè)和市場(chǎng)需求把握方面提供了重要參考范例，促使行業(yè)深入思考如何在技術(shù)變革浪潮中保持領(lǐng)先，通過(guò)持續(xù)創(chuàng)新、合理布局和高效執(zhí)行，實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展與全球競(jìng)爭(zhēng)力的提升，共同推動(dòng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向新的高度，為各類高科技應(yīng)用提供更先進(jìn)、高效的芯片解決方案。
