場效應(yīng)管和晶閘管是電子電路中常用的開關(guān)型設(shè)備，但兩者有本質(zhì)差異。場效應(yīng)管包括結(jié)型場效應(yīng)管JFET和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET。晶閘管一般指可控硅，可控硅可分為單向可控硅SCR和雙向可控硅Triac。
什么是現(xiàn)場效應(yīng)管。
這里主要介紹MOSFET。MOSFET有三個電極，分別是電網(wǎng)G、源S和漏D，其中電網(wǎng)G為控制端，源S和漏D為輸出端。從半導(dǎo)體的構(gòu)成可分為NMOS和PMOS。這兩種MOS的電路符號如下圖所示
PMOS的基礎(chǔ)是n型半導(dǎo)體，VGS0時形成p型槽，因此稱為p型槽MOS的NMOS的基礎(chǔ)是P型半導(dǎo)體，VGS0時形成n型槽，因此稱為n型槽MOS。
MOS管是電壓驅(qū)動型設(shè)備，主要用于控制整流、功率開關(guān)、信號擴大等，應(yīng)用廣泛。MOS管的通道依賴于VGS的電平，對于NMOS來說，在VGS0的情況下，NMOS是導(dǎo)游。否則，NMOS將截止。對于PMOS來說，VGS0，PMOS將導(dǎo)游，否則將截止。
晶閘管又稱可控硅，與場效應(yīng)管相同，均為半導(dǎo)體設(shè)備，外形包裝基本相同，但電路用途不同。
▲TO-220封裝BT136雙向晶閘管。
▲TO-220封裝的n槽MOS場效應(yīng)管。
晶閘管可分為單向晶閘管和雙向晶閘管兩種。它們可用于電子電路中的電子開關(guān)，用于控制負(fù)載的通關(guān)。它們可用于調(diào)節(jié)交流電壓，從而實現(xiàn)調(diào)光、調(diào)速和溫度。此外，單向晶閘管也可用于整流。
晶閘管在日常生活中被廣泛使用，像家庭用的聲控?zé)粢粯?，BT169、MCR100-6等小功率單向晶閘管作為電子開關(guān)驅(qū)動燈泡。在白熾燈泡的無級調(diào)光和風(fēng)扇的無級調(diào)速電路中，通常使用BT136等大功率的雙向晶閘管實現(xiàn)調(diào)光和調(diào)速。
▲雙向晶閘管的電路符號。
▲MOS場效應(yīng)管的電路符號。
場效應(yīng)管屬于單極半導(dǎo)體設(shè)備，可分為結(jié)型場效應(yīng)管和MOS場效應(yīng)管兩種，各種場效應(yīng)管有p槽和n槽?，F(xiàn)場效應(yīng)管在電子電路中可以作為放大器件放大信號，也可以作為開關(guān)器件來控制負(fù)荷的斷路，因此現(xiàn)場效應(yīng)管的用途比結(jié)晶閘管廣。
放大電路中，VMOS場效應(yīng)管作為功率放大部件，在能夠提高音質(zhì)的開關(guān)電路中，如果驅(qū)動馬達(dá)等大電流負(fù)荷，則選擇MOS場效應(yīng)管作為電子開關(guān)，可以減輕前級驅(qū)動電路的負(fù)擔(dān)(如果選擇晶閘管，則需要從前級電路中吸收大的驅(qū)動電流)。
綜上所述，現(xiàn)場效應(yīng)管和晶閘管的區(qū)別在于，現(xiàn)場效應(yīng)管既可以擴大信號，也可以作為高速電子開關(guān)控制負(fù)荷的斷路，同時也可以實現(xiàn)調(diào)速、調(diào)光、調(diào)溫等功能，但晶閘管不能構(gòu)成放大器的擴大信號，作為電子開關(guān)使用時，工作頻率也比現(xiàn)場效應(yīng)管高。
