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SK 海力士全球首推第六代 10 納米級(jí) DDR5 DRAM

by: admin 行業(yè)資訊 0 2025-03-07 20:08:35

8 月 29 日消息，SK 海力士今日重磅宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代 10 納米級(jí)（1c）工藝的 16Gb DDR5 DRAM。這一重大突破向世界充分展現(xiàn)了 SK 海力士在 10 納米出頭的超微細(xì)化存儲(chǔ)工藝技術(shù)方面的實(shí)力。

SK 海力士全球首推第六代 10 納米級(jí) DDR5 DRAM_副本.jpg

SK 海力士強(qiáng)調(diào)，隨著 10 納米級(jí) DRAM 技術(shù)的不斷迭代，微細(xì)工藝的難度也在持續(xù)加大。然而，公司以通過業(yè)界最高性能得到廣泛認(rèn)可的第五代（1b）技術(shù)實(shí)力為堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，大力提高設(shè)計(jì)完成度，成功率先突破了技術(shù)極限。公司計(jì)劃在年內(nèi)完成 1c DDR5 DRAM 的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作，并從明年開始正式供應(yīng)產(chǎn)品，以引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場的蓬勃發(fā)展。

SK 海力士以 1b DRAM 平臺(tái)擴(kuò)展的方式精心開發(fā)了 1c 工藝。SK 海力士的技術(shù)團(tuán)隊(duì)認(rèn)為，通過這種方式，不僅可以有效減少工藝高度化過程中可能出現(xiàn)的嘗試錯(cuò)誤，還能夠最為高效地將業(yè)界內(nèi)以最高性能 DRAM 而備受認(rèn)可的 SK 海力士 1b 工藝優(yōu)勢順利轉(zhuǎn)移到 1c 工藝上。

此外，SK 海力士在部分 EUV 工藝中積極開發(fā)并適用了新材料，同時(shí)在整個(gè)工藝中針對 EUV 適用工藝進(jìn)行了全面優(yōu)化，從而成功確保了成本競爭力。與此同時(shí)，在 1c 工藝上也進(jìn)行了設(shè)計(jì)技術(shù)革新，與前一代 1b 工藝相比，其生產(chǎn)率提高了 30% 以上。

億配芯城（ICgoodFind）認(rèn)為，SK 海力士成功開發(fā)第六代 10 納米級(jí) DDR5 DRAM 是存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的重大進(jìn)步。這一創(chuàng)新成果不僅彰顯了 SK 海力士在存儲(chǔ)工藝方面的領(lǐng)先地位，也為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場的發(fā)展注入了新的活力。億配芯城（ICgoodFind）將持續(xù)關(guān)注存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展動(dòng)態(tài)，為客戶提供優(yōu)質(zhì)的存儲(chǔ)產(chǎn)品和服務(wù)，共同推動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的繁榮發(fā)展。

文章標(biāo)簽： SK海力士，DRAM

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