技術參數(shù)/額定電流： | 3.00 mA | ? |
技術參數(shù)/供電電流： | 7.5 mA | ? |
技術參數(shù)/電源電壓： | 4.5V ~ 16V | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOP-8 | ? |
外形尺寸/高度： | 1.55 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | SOP-8 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | 0℃ ~ 70℃ | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Unknown | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
符合標準/RoHS標準： | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準： | Lead Free | ? |
海關信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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NE555D
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TI (德州儀器) | 功能相似 | SOIC-8 |
555 計時器，Texas Instruments 一系列高度穩(wěn)定的高精度定時電路，用于準確延時或定時脈沖。 這些計時器可在單穩(wěn)態(tài)（單觸發(fā)）或非穩(wěn)態(tài)）振蕩器）模式下工作，其計算周期為不足微秒至幾分鐘。 除原始雙極型號外，還提供低功率 CMOS 和 LinCMOS 變體。 這些設備支持更長的計時周期，并顯著降低功耗。 該系列包括單（551、555）和雙（552、556）計時器版本。 ### 定時器/定時發(fā)生器
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NE555DR
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TI (德州儀器) | 類似代替 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS NE555DR 芯片, 單高精度定時器
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NE555D
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOP-8 |
555 計時器，Texas Instruments 一系列高度穩(wěn)定的高精度定時電路，用于準確延時或定時脈沖。 這些計時器可在單穩(wěn)態(tài)（單觸發(fā)）或非穩(wěn)態(tài)）振蕩器）模式下工作，其計算周期為不足微秒至幾分鐘。 除原始雙極型號外，還提供低功率 CMOS 和 LinCMOS 變體。 這些設備支持更長的計時周期，并顯著降低功耗。 該系列包括單（551、555）和雙（552、556）計時器版本。 ### 定時器/定時發(fā)生器
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NE555D
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Signetics | 功能相似 |
555 計時器，Texas Instruments 一系列高度穩(wěn)定的高精度定時電路，用于準確延時或定時脈沖。 這些計時器可在單穩(wěn)態(tài)（單觸發(fā)）或非穩(wěn)態(tài)）振蕩器）模式下工作，其計算周期為不足微秒至幾分鐘。 除原始雙極型號外，還提供低功率 CMOS 和 LinCMOS 變體。 這些設備支持更長的計時周期，并顯著降低功耗。 該系列包括單（551、555）和雙（552、556）計時器版本。 ### 定時器/定時發(fā)生器
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NE555D
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Fairchild (飛兆/仙童) | 功能相似 | SOP-8 |
555 計時器，Texas Instruments 一系列高度穩(wěn)定的高精度定時電路，用于準確延時或定時脈沖。 這些計時器可在單穩(wěn)態(tài)（單觸發(fā)）或非穩(wěn)態(tài)）振蕩器）模式下工作，其計算周期為不足微秒至幾分鐘。 除原始雙極型號外，還提供低功率 CMOS 和 LinCMOS 變體。 這些設備支持更長的計時周期，并顯著降低功耗。 該系列包括單（551、555）和雙（552、556）計時器版本。 ### 定時器/定時發(fā)生器
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HTC | 功能相似 | SOP-8 |
555 計時器，Texas Instruments 一系列高度穩(wěn)定的高精度定時電路，用于準確延時或定時脈沖。 這些計時器可在單穩(wěn)態(tài)（單觸發(fā)）或非穩(wěn)態(tài)）振蕩器）模式下工作，其計算周期為不足微秒至幾分鐘。 除原始雙極型號外，還提供低功率 CMOS 和 LinCMOS 變體。 這些設備支持更長的計時周期，并顯著降低功耗。 該系列包括單（551、555）和雙（552、556）計時器版本。 ### 定時器/定時發(fā)生器
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SA555D
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TI (德州儀器) | 類似代替 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS SA555D 芯片, 高精度定時器
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