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型號(hào): IPB80P03P4L04ATMA1
描述: Infineon OptiMOS P 系列 Si P溝道 MOSFET IPB80P03P4L04ATMA1, 80 A, Vds=30 V, 3引腳 D2PAK (TO-263)封裝
商品二維碼
封 裝: TO-263-3-2
貨 期:
包裝方式: Tape & Reel (TR)
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
8.22  元 8.22元
10+:
¥ 9.8640
100+:
¥ 9.3708
500+:
¥ 9.0420
1000+:
¥ 9.0256
2000+:
¥ 8.9598
5000+:
¥ 8.8776
7500+:
¥ 8.8118
10000+:
¥ 8.7790
數(shù)量
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價(jià)格
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起批量 10+ 100+ 500+ 1000+ 2000+
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技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù):

3

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

0.0034 Ω

?

技術(shù)參數(shù)/極性:

P-CH

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

137 W

?

技術(shù)參數(shù)/閾值電壓:

1.5 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

30 V

?

技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids):

80A

?

技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間:

11 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

11300pF @25V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間:

40 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

175 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

137W (Tc)

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-263-3-2

?

外形尺寸/長(zhǎng)度:

10 mm

?

外形尺寸/寬度:

9.25 mm

?

外形尺寸/高度:

4.4 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-263-3-2

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tape & Reel (TR)

?

其他/制造應(yīng)用:

High-Side MOSFETs for motor bridges (half-bridges, H-bridges, 3-phase-motors), Bridge configuration could be realized with 30V P-Channels high side device with no need of charge pump

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

無鉛

?

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