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描述：
Infineon OptiMOS?P P 通道功率 MOSFET **Infineon** **OptiMOS**? P 通道電源 MOSFET 設(shè)計用于提供增強(qiáng)功能，以便達(dá)到質(zhì)量指標(biāo)。 特征包括超低切換損耗、通態(tài)電阻、雪崩額定值以及達(dá)到汽車解決方案的 AEC 標(biāo)準(zhǔn)。 應(yīng)用包括：直流-直流、電動機(jī)控制、汽車和 eMobility。 增強(qiáng)型模式 雪崩等級 低切換和傳導(dǎo)功率損耗 無鉛引線電鍍；符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn) 標(biāo)準(zhǔn)封裝 OptiMOS? P 通道系列：溫度范圍為 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶體管，Infineon Infineon 龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合包括 OptiMOS? 與 CoolMOS? 系列。 這些產(chǎn)品提供最新一代最先進(jìn)功率 MOSFET 中的頂級性能
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Tape & Reel (TR)
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技術(shù)參數(shù)/極性： | P-CH | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 88 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 40 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 80A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間： | 15 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 6085pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間： | 41 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 175 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 88 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-263-3 | ? |
外形尺寸/長度： | 10 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 9.25 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 4.4 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-263-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | 無鉛 | ? |
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