技術(shù)參數(shù)/供電電流： | 2.5 mA | ? |
技術(shù)參數(shù)/電路數(shù)： | 1 | ? |
技術(shù)參數(shù)/通道數(shù)： | 1 | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 0.75 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/共模抑制比： | 94 dB | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入補(bǔ)償漂移： | 1.00 μV/K | ? |
技術(shù)參數(shù)/帶寬： | 1.50 MHz | ? |
技術(shù)參數(shù)/轉(zhuǎn)換速率： | 1.60 V/μs | ? |
技術(shù)參數(shù)/增益頻寬積： | 1.5 MHz | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入補(bǔ)償電壓： | 150 μV | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入偏置電流： | 0.5 pA | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 85 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -25 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 750 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/共模抑制比(Min)： | 94 dB | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOIC-8 | ? |
外形尺寸/封裝： | SOIC-8 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -25℃ ~ 85℃ | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Rail, Tube | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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Micross | 類似代替 |
JFET 輸入運(yùn)算放大器，OPA Difet 系列 Texas Instruments 一系列高性能 Burr-Brown FET 輸入運(yùn)算放大器 這些設(shè)備具有一個利用電介隔離 FET (Difet?) 的輸入級，可通過消除隔離接線泄漏顯著降低輸入偏置電流。 它們提供一個高速和高精密度的特殊組合，搭配超低輸入電流。 典型的應(yīng)用包括高精度儀器儀表、靜電計和照片探測放大器、醫(yī)療設(shè)備和高精確度數(shù)據(jù)采集。 ### 運(yùn)算放大器，Texas Instruments
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