芯片AI顧問
技術參數(shù)/通道數(shù)： | 1 | ? |
技術參數(shù)/漏源極電阻： | 8.9 mΩ | ? |
技術參數(shù)/極性： | P-CH | ? |
技術參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 40 V | ? |
技術參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 73A | ? |
技術參數(shù)/上升時間： | 12 ns | ? |
技術參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 3700pF @25V(Vds) | ? |
技術參數(shù)/下降時間： | 31 ns | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Max)： | 175 ℃ | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術參數(shù)/耗散功率(Max)： | 75000 mW | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-252-3 | ? |
外形尺寸/長度： | 6.5 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 6.22 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 2.3 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-252-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 175℃ | ? |
其他/產品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
其他/制造應用： | Bridge configuration could be realized with 40V P-Channel as high side device with no need of charge pump, High-Side MOSFETs for motor bridges (half-bridges, H-bridges, 3-phase-motors) | ? |
符合標準/RoHS標準： | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準： | Lead Free | ? |
海關信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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IPB70P04P4-09
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Infineon (英飛凌) | 類似代替 | TO-252-3 |
Infineon OptiMOS?P P 通道功率 MOSFET **Infineon** **OptiMOS**? P 通道電源 MOSFET 設計用于提供增強功能，以便達到質量指標。 特征包括超低切換損耗、通態(tài)電阻、雪崩額定值以及達到汽車解決方案的 AEC 標準。 應用包括：直流-直流、電動機控制、汽車和 eMobility。 增強型模式 雪崩等級 低切換和傳導功率損耗 無鉛引線電鍍；符合 RoHS 標準 標準封裝 OptiMOS? P 通道系列：溫度范圍為 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶體管，Infineon Infineon 龐大且全面的 MOSFET 設備組合包括 OptiMOS? 與 CoolMOS? 系列。 這些產品提供最新一代最先進功率 MOSFET 中的頂級性能
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