技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC)： | -30.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定電流： | -5.30 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/通道數(shù)： | 1 | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 8 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.042 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | P-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 2.5 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容： | 528 pF | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵電荷： | 10.0 nC | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 30 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 30 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵源擊穿電壓： | ±25.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | -5.30 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間： | 13 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 528pF @15V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 1 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間： | 9 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 175 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 2.5W (Ta) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOIC-8 | ? |
外形尺寸/長度： | 5 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 4 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 1.5 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | SOIC-8 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
其他/制造應用： | Power Management, Industrial | ? |
符合標準/RoHS標準： | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準： | Lead Free | ? |
符合標準/REACH SVHC標準： | No SVHC | ? |
符合標準/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 | ? |
海關信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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STS5PF30L
|
ST Microelectronics (意法半導體) | 功能相似 | SOIC-8 |
P 溝道 STripFET? 功率 MOSFET，STMicroelectronics STripFET? MOSFET，帶寬擊穿電壓范圍，可提供超低柵極電話和低接通電阻。 ### MOSFET 晶體管，STMicroelectronics
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Rochester (羅切斯特) | 類似代替 | SOT |
FDS6679AZ 系列 P 溝道 30 V 9.3 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8
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