技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC)： | 100 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定電流： | 120 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.0105 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 312 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 4 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容： | 5200 pF | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 100 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 100 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵源擊穿電壓： | ±20.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 110 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間： | 90 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 5200pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 312 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間： | 68 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 175 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 312000 mW | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-263-3 | ? |
外形尺寸/長度： | 10.4 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 9.35 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 4.6 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-263-3 | ? |
物理參數(shù)/重量： | 0.013607772 kg | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 | ? |
海關(guān)信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
HUF75645S3ST
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-263-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75645S3ST 場效應(yīng)管, MOSFET, N溝道, 100V, 75mA
|
||
IRFS4610TRLPBF
|
Infineon (英飛凌) | 功能相似 | TO-263-3 |
100V,73A,N溝道功率MOSFET
|
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