芯片AI顧問
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.09 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 278 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 3 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 600 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 37.9A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間： | 12 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 2660pF @100V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 278 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間： | 6 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 278W (Tc) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-220-3 | ? |
外形尺寸/長度： | 10.65 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 4.9 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 16.15 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-220-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Not Recommended | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC標(biāo)準(zhǔn)： | No SVHC | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 | ? |
海關(guān)信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SPW35N60C3
|
Infineon (英飛凌) | 功能相似 | TO-247-3 |
Infineon CoolMOS?C3 功率 MOSFET ### MOSFET 晶體管，Infineon Infineon 龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合包括 OptiMOS? 與 CoolMOS? 系列。 這些產(chǎn)品提供最新一代最先進(jìn)功率 MOSFET 中的頂級性能
|
||
STW43NM60ND
|
ST Microelectronics (意法半導(dǎo)體) | 功能相似 | TO-247-3 |
STMICROELECTRONICS STW43NM60ND 功率場效應(yīng)管, MOSFET, N溝道, 35 A, 600 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V
|
||
IPW60R099C6
|
Infineon (英飛凌) | 功能相似 | TO-247-3 |
MOS(場效應(yīng)管)/IPW60R099C6 管裝
|
?Copyright 2013-2025 億配芯城（深圳）電子科技有限公司 粵ICP備17008354號
最有幫助的評價
最新評價
暫時還沒有評價
期待你分享科技帶來的樂趣