技術參數(shù)/額定電壓(DC)： | 200 V | ? |
技術參數(shù)/額定電流： | 30.0 A | ? |
技術參數(shù)/通道數(shù)： | 1 | ? |
技術參數(shù)/漏源極電阻： | 75.0 mΩ | ? |
技術參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術參數(shù)/耗散功率： | 125 W | ? |
技術參數(shù)/輸入電容： | 1.60 nF | ? |
技術參數(shù)/柵電荷： | 38.0 nC | ? |
技術參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 200 V | ? |
技術參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 200 V | ? |
技術參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 30.0 A | ? |
技術參數(shù)/上升時間： | 15.7 ns | ? |
技術參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 1597pF @25V(Vds) | ? |
技術參數(shù)/額定功率(Max)： | 125 W | ? |
技術參數(shù)/下降時間： | 8.8 ns | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術參數(shù)/耗散功率(Max)： | 125W (Tc) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-220-3 | ? |
外形尺寸/長度： | 10.4 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 4.6 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 15.75 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-220-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
符合標準/RoHS標準： | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準： | Lead Free | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FQP32N20C
|
Fairchild (飛兆/仙童) | 功能相似 | TO-220-3 |
QFET? N 通道 MOSFET，11A 至 30A，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先進的專利技術為廣泛的應用提供最佳的工作性能，包括電源、PFC（功率因數(shù)校正）、直流－直流轉換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮(zhèn)流器和運動控制。 它們通過降低導通電阻 (RDS(on)) 來減少通態(tài)損耗，并通過降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來減少切換損耗。 通過使用先進的 QFET? 工藝技術，F(xiàn)airchild 可提供比競爭平面 MOSFET 設備更高的品質(zhì)因素 (FOM)。
|
||
FQP34N20
|
Fairchild (飛兆/仙童) | 功能相似 | TO-220-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP34N20 晶體管, MOSFET, N溝道, 31 A, 200 V, 0.06 ohm, 10 V, 5 V
|
||
IRFB38N20DPBF
|
Infineon (英飛凌) | 功能相似 | TO-220-3 |
44A,200V,N溝道功率MOSFET
|
?Copyright 2013-2025 億配芯城（深圳）電子科技有限公司 粵ICP備17008354號
最有幫助的評價
最新評價
暫時還沒有評價
期待你分享科技帶來的樂趣