技術(shù)參數(shù)/額定功率： | 120 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/通道數(shù)： | 1 | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.117 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | P-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 120 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 4 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容： | 1300 pF | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 100 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 100 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 23A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間： | 67 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 1300pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 140 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間： | 51 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 175 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 140W (Tc) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-247-3 | ? |
外形尺寸/長(zhǎng)度： | 15.87 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 5.3 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 20.3 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-247-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
其他/制造應(yīng)用： | Power Management, 電源管理 | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
| 型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡(jiǎn)介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
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9-140
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Cinch Connectivity Solutions | 功能相似 | Panel |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
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Agilent (安捷倫) | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
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International Rectifier (國(guó)際整流器) | 功能相似 |
功率MOSFET Power MOSFET
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IRFP9140PBF
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-247 |
功率MOSFET Power MOSFET
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