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型號: IRF1310NPBF
描述: N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A,Infineon Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設備,采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設計挑戰(zhàn)問題。 在整個范圍內(nèi),基準導通電阻減少了傳導損耗,讓設計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。 ### MOSFET 晶體管,Infineon (IR) Infineon 全面的堅固單和雙 N 通道和 P 通道設備組合提供快速切換速度,且可滿足各種電源需求。 應用范圍從交流-直流和直流-直流電源到音頻和消費電子產(chǎn)品,從電動機控制到照明和家用電器。
商品二維碼
封 裝: TO-220-3
貨 期:
包裝方式: Tube
標準包裝數(shù): 1
4.23  元 4.23元
5+:
¥ 5.7105
25+:
¥ 5.2875
50+:
¥ 4.9914
100+:
¥ 4.8645
500+:
¥ 4.7799
2500+:
¥ 4.6742
5000+:
¥ 4.6319
10000+:
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價格
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技術參數(shù)/額定功率:

160 W

?

技術參數(shù)/針腳數(shù):

3

?

技術參數(shù)/漏源極電阻:

0.036 Ω

?

技術參數(shù)/極性:

N-Channel

?

技術參數(shù)/耗散功率:

170 W

?

技術參數(shù)/閾值電壓:

4 V

?

技術參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

100 V

?

技術參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids):

42A

?

技術參數(shù)/上升時間:

56 ns

?

技術參數(shù)/輸入電容(Ciss):

1900pF @25V(Vds)

?

技術參數(shù)/額定功率(Max):

160 W

?

技術參數(shù)/下降時間:

40 ns

?

技術參數(shù)/工作溫度(Max):

175 ℃

?

技術參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術參數(shù)/耗散功率(Max):

160W (Tc)

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Through Hole

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-220-3

?

外形尺寸/長度:

10.54 mm

?

外形尺寸/寬度:

4.69 mm

?

外形尺寸/高度:

8.77 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-220-3

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tube

?

其他/制造應用:

Power Management, 電源管理

?

符合標準/RoHS標準:

RoHS Compliant

?

符合標準/含鉛標準:

Lead Free

?

符合標準/REACH SVHC版本:

2015/12/17

?

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型號 品牌 相似度 封裝 簡介 數(shù)據(jù)手冊
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon (英飛凌) 類似代替 TO-220-3
INFINEON IRF3710ZPBF 晶體管, MOSFET, N溝道, 59 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4 V
PDF
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF International Rectifier (國際整流器) 類似代替 TO-220-3
INFINEON IRF3710ZPBF 晶體管, MOSFET, N溝道, 59 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4 V
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