技術(shù)參數(shù)/電源電壓(DC)： | 3.00V (min) | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作電壓： | 2V ~ 18V | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸出電流： | 20 mA | ? |
技術(shù)參數(shù)/供電電流： | 0.3 mA | ? |
技術(shù)參數(shù)/電路數(shù)： | 2 | ? |
技術(shù)參數(shù)/通道數(shù)： | 2 | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 8 | ? |
技術(shù)參數(shù)/靜態(tài)電流： | 150 μA | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入補償電壓： | 5 mV | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入偏置電流： | 0.005 nA | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 85 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -40 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/電源電壓： | 3V ~ 16V | ? |
技術(shù)參數(shù)/電源電壓(Max)： | 16 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/電源電壓(Min)： | 3 V | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOIC-8 | ? |
外形尺寸/長度： | 4.9 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 3.91 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 1.58 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | SOIC-8 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -40℃ ~ 85℃ | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
其他/制造應(yīng)用： | 航空電子, 國防, 醫(yī)用, 軍用與航空 | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC標(biāo)準(zhǔn)： | No SVHC | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/軍工級： | Yes | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本： | 2014/12/17 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
TLC372CDR
|
TI (德州儀器) | 類似代替 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS TLC372CDR 模擬比較器, 雙路, 差分, 2, 200 ns, 3V 至 16V, SOIC, 8 引腳
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||
TLC372IDR
|
TI (德州儀器) | 完全替代 | SOIC-8 |
TLC 系列 LinCMOS 比較器 ### 比較器，Texas Instruments Texas Instruments 系列電壓比較器不僅包括傳統(tǒng)單、雙和四路比較器封裝，還包括窗口比較器及過壓和欠壓監(jiān)控器。 盡管比較器和運算放大器表面上是相似的設(shè)備，但它們在實用應(yīng)用中的操作大大不同。 運算放大器適用于線性操作，附帶適當(dāng)反饋，而比較器定制用于快速切換且通常在開路模式中操作。 專用電壓比較器具有明顯較短的傳播延遲，且可在飽和條件下具有更快的響應(yīng)時間。 大多數(shù)比較器還更耐受高差分輸入電壓，且很多比較器具有開路集電極輸出，從而可與其他設(shè)備并聯(lián)操作。
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