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型號(hào)： IRGS10B60KDPBF
描述： Co-Pack IGBT 超過(guò) 21A，Infineon Infineon 的隔離柵極雙極晶體管 (IGBT) 為用戶提供完整系列選項(xiàng)，以確保覆蓋您的應(yīng)用。 高效額定值使此系列 IGBT 可用于各種應(yīng)用，且由于具有低切換損耗，可支持各種切換頻率。 IGBT 帶組合封裝快速軟恢復(fù)并聯(lián)二極管，用于橋式配置 ### IGBT 晶體管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（絕緣柵級(jí)雙極性晶體管）產(chǎn)品組合，范圍從 300V 到 1200V，采用各種技術(shù)，可最大程度降低切換和傳導(dǎo)損耗，從而提高效率、減少熱敏問(wèn)題并改善功率密度。 公司還提供多種 IGBT 壓模，專門設(shè)計(jì)用于中到高功率模塊。 對(duì)于需要最大可靠性的模塊，可使用可焊接前部金屬 (SFM) 壓模來(lái)消除連接線，從而實(shí)現(xiàn)雙面冷卻，提高熱敏性能、可靠性和效率。
商品二維碼
封 裝： TO-263-3
貨 期：
包裝方式： Tube
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)： 1
7.79  元 7.79元
10+:
￥ 9.3480
100+:
￥ 8.8806
500+:
￥ 8.5690
1000+:
￥ 8.5534
2000+:
￥ 8.4911
5000+:
￥ 8.4132
7500+:
￥ 8.3509
10000+:
￥ 8.3197
數(shù)量
10+
100+
500+
1000+
2000+
價(jià)格
￥9.3480
￥8.8806
￥8.5690
￥8.5534
￥8.4911
價(jià)格 ￥ 9.3480 ￥ 8.8806 ￥ 8.5690 ￥ 8.5534 ￥ 8.4911
起批量 10+ 100+ 500+ 1000+ 2000+
  • 運(yùn)費(fèi)：   有貨 運(yùn)費(fèi)價(jià)格：￥13.00
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技術(shù)參數(shù)/額定功率：

104 W

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率：

156 W

?

技術(shù)參數(shù)/擊穿電壓(集電極-發(fā)射極)：

600 V

?

技術(shù)參數(shù)/反向恢復(fù)時(shí)間：

90 ns

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)：

156 W

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)：

150 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)：

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)：

156 W

?

封裝參數(shù)/安裝方式：

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù)：

3

?

封裝參數(shù)/封裝：

TO-263-3

?

外形尺寸/長(zhǎng)度：

10.67 mm

?

外形尺寸/寬度：

9.65 mm

?

外形尺寸/高度：

4.83 mm

?

外形尺寸/封裝：

TO-263-3

?

物理參數(shù)/工作溫度：

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

?

其他/產(chǎn)品生命周期：

Active

?

其他/包裝方式：

Tube

?

其他/制造應(yīng)用：

Washing Machine

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)：

RoHS Compliant

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)：

Lead Free

?

海關(guān)信息/ECCN代碼：

EAR99

?

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型號(hào) 品牌 相似度 封裝 簡(jiǎn)介 數(shù)據(jù)手冊(cè)
S10B S10B Microsemi (美高森美) 功能相似 DO-214AB
Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
S10B S10B JST (日本壓著端子) 功能相似
Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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